操作EEPROM的问题

EEPROM

9S12XDT512，BANKED模式。

prm文件相关设置如下：

/* non-paged EEPROM */
EEPROM = READ_ONLY 0x0C00 TO 0x0FFB;

/* paged EEPROM 0x0800 TO 0x0BFF; addressed through EPAGE */
EEPROM_FC = READ_ONLY 0xFC0800 TO 0xFC0BFF;
EEPROM_FD = READ_ONLY 0xFD0800 TO 0xFD0BFF;
EEPROM_FE = READ_ONLY 0xFE0800 TO 0xFE0BFF;

EEPROM操作代码如下：

#define EEPROM_ADDR_BASE ((volatile int *)0x0800)

#define ee_word_program 0x20 // 字编程
#define ee_word_erase 0x40 // 字擦除
#define ee_sector_erase 0x41 // 全部擦除
/*************************************************

EEPROM模块初始化程序

*************************************************/
void EEPROM_init(void)
{
ECLKDIV=0x15; // 不采用8分频，因为OSCLK=4M，又为了使ECLK
// 达到190KHZ，所以EDIV=21，即ECLK=4M/21=190.5KHZ
ECNFG=0x00; // 禁止EEPROM相关操作的中断
while(ECLKDIV_EDIVLD == 0); // 等待时钟设置成功
EPROT_EPOPEN=1; // EEPROM没有保护，可以进行编程与擦除
EPROT_EPDIS=1; // EEPROM保护禁止
}

/*************************************************
直接操作EEPROM程序

Addr：要操作的EEPROM地址
Data：要操作的EEPROM数据
OpType：操作命令类型
*************************************************/
void EEPROM_direct_operate(uint * Addr,uint Data,uchar OpType)
{
while(ESTAT_CBEIF == 0); // 等待EEPROM命令缓冲区为空
*Addr=Data;
ECMD=OpType; // 指令的类型
ESTAT |= 0x80; // 清命令缓冲标志,开始执行命令
while(ESTAT_CCIF == 0); // 等待命令完成
}

在main里调用

EEPROM_direct_operate((EEPROM_ADDR_BASE+1),Dump,ee_word_erase);
EEPROM_direct_operate((EEPROM_ADDR_BASE+1),0x5678,ee_word_program);

当EEPROM_ADDR_BASE 地址为0x800~0xBFF时，运行之后，在memory区的对应地址都能看到数据被正确写入，但同时，在0xC00~0xFFF的对应地址上也被写入了同样的数据。比如，#define EEPROM_ADDR_BASE ((volatile int *)0x0800)，那么，在memory区，可以看到0x0800的地址上写入了数据56和78，但同时，也可以看到0x0C00地址也被写入了数据56和78，可我并没有对写这个地址啊？

更奇怪的是，如果#define EEPROM_ADDR_BASE ((volatile int *)0x0C00)，则发现，数据根本就不能被写入！

另外，如果#define EEPROM_ADDR_BASE ((volatile int *)0xFC0800)，也就是我想向EEPROM的分页区写入数据，但是在memory区中发现，0xFC0800地址并没有被写入数据，而数据却被写入到了0x0800地址，但此时，0x0C00地址并没有被写入数据！

我完全搞糊涂了！