首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

安森美半导体的全系列IGBT满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源、白家电等各类应用需求

安森美半导体的全系列IGBT满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源、白家电等各类应用需求

安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商,提供全面的功率器件,包括MOSFETIGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,尤其在收购Fairchild半导体后,是全球第二大功率分立器件半导体供应商,在IGBT领域有着不可比拟的优势,提供同类最佳的IGBT技术和最宽广的IGBT产品阵容。
安森美半导体在IGBT领域的优势
安森美半导体在功率器件、IGBT、薄晶圆和封装技术方面有强大的知识产权阵容,在全球多地拥有IGBT制造设施,量产点火IGBT具有30年经验,600 V1200 V沟槽场截止IGBT平台性能已通过分立产品和功率集成模块(PIM)系列证实。自20169月收购Fairchild,安森美半导体的IGBT产品阵容大为扩展,提供600 V650 V1200 V1350 V1500 V IGBT,采用TO-3PTO-247TO-247 4LTO-220TO-220 FullPakD2PAKDPAK等封装,用于汽车、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电磁炉、电焊机和电机控制等各种不同应用。






1:安森美半导体的IGBT阵容


沟槽栅场截止IGBT技术是当前IGBT领域的一大技术亮点,图2为安森美半导体的沟槽栅场截止IGBT的横截面,采用了背面金属化、背面注入、栅氧化、场氧化、钝化等工艺,电场分布呈梯形,可实现优化的导通损耗和开关性能。



2:沟槽栅场截止IGBT横截面




安森美半导体的IGBT具有出色的非钳位感性开关(UIS)能力,大大增强了在系统发生瞬态事件时的可靠性。UIS用以测试器件的抗雪崩能力,如器件在击穿后能承受的能量水平。UIS能力不依赖于击穿电压。
安森美半导体的FSIII 超场截止1200 VIGBT采用公司专有的超场截止沟槽技术,并与一个具有软关断特性的快速恢复二极管(FRD)共同封装在一起,提供最小的反向恢复损耗。FSIII FRD采用更薄的外延层、优化的外延缓冲层和更少掺杂的阳极,表现出更低的正向压降(VF)、更软开关和更低的反向恢复电流(IRRM)。加之其极宽的高度触发的场截止层,能实现领先行业的总开关损耗,为大功率开关系统在电源能效方面设立新的基准。如NGTB40N120FL3WG的总开关损耗为2.7毫焦耳(mJ),而NGTB25N120FL3WG的总开关损耗为1.7 mJ。两款器件在各自额定电流下的VCEsat均为1.7 V,非常适用于UPS和太阳能逆变器。NGTB40N120L3WG经优化提供低导通损耗,额定电流下的VCEsat1.55 V,总开关损耗为3 mJ,主要针对电机驱动应用。这些1200 V IGBT还曾在2016年获《今日电子》与21IC中国电子网联合颁发“Top 10电源产品奖”,这是于电子业备受认同的确定高品质产品的一个基准。
安森美半导体的FS4 沟槽场截止650 V IGBT,如FGH50T65SQD_F155FGH75T65SQD_F155,具备高电流能力、高输入阻抗、快速开关和紧密的参数分布等特性。
FSIIIFS4都是先进的IGBT技术,提供高性能和强固的IGBT产品。
此外,安森美半导体不光在分立器件上有业界领先的产品,公司还结合在功率模块上的先进技术,推出了用于太阳能逆变器和UPST型逆变器 PIM。集成化的模块包括了IGBT及整流器,采用安森美半导体的专有沟槽FS技术及强固的超快FRD,配置为中点钳位式T型拓扑结构,能效可超过98%。模块中的IGBT通过在低饱和电压(Vce)和低关断损耗(Eoff)之间权衡取舍,恰到好处地优化电路性能,具有最大结温Tj = 175°C或短路能力。模块中的超快整流器提供低VF性能和高温能力。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚,可以提供更高的功率密度、更高的性能与更高的可靠性。
我们对安森美半导体的IGBTPIM模块和竞争对手的IGBT模块进行了能效对比测试,它们被评估用于一个7千瓦的T型逆变器应用,工作于15千赫、200 V交流电压和650伏直流链电压。结果表明,安森美半导体的IGBT PIM模块能效和热性能都要优于竞争器件。
用于白家电的IGBT
1. 功率因数校正(PFC) 类应用
PFC类的IGBT主要用于工业、空调等应用,工作频率在2040 kHz,峰值电流在20 A 40 A,要求低噪声、低开关损耗。
同等工作条件下,IPM结构比分立的PFC结构提供更高的工作频率,且由于其将升压线圈布设在电路板上,从而减小磁芯尺寸,进而降低组装成本。在220 V交流电压,4 kW工作频率下,无桥交错式PFC的系统总损耗还较分立的升压PFC降低38%



1:安森美半导体用于PFC类白家电的IGBT阵容


2. 逆变器类应用
这类应用主要包括冰箱、洗衣机、洗碗机等,工作频率在520 kHz,峰值电流在315 A,要求低功耗、高可靠性,若需降低成本,可转向采用分立的IGBT
例如,对于用于冰箱的逆变器,安森美半导体提供600 V NGTB03N60R2DT4GNGTB05N60R2DT4GNGTB10N60R2DT4G,采用紧凑的DPAK封装,提供低饱和电压VCE(sat),能承受达5 μs的短路,散热性极佳,有助于设计人员采用紧凑的PCB和实现高能效。
对于用于洗衣机、电锯的逆变器或电机,安森美半导体提供采用DPAK封装的NGTB10N60R2DT4G、采用TO-220F-3FS封装的NGTB10N60FGNGTB15N60R2FG,这些IGBT具有低VCE(sat)和高速开关性能,能承受达5 μs的短路,无需隔离器件,提供高能效。
3. 感应加热类应用
感应加热类应用分为两种拓扑结构:单端式和半桥式。单端式结构简单,主要用于电饭煲、微波炉等低成本应用,需要IGBT、电容及电感等高压器件,最大功率不超过2 kW,通过电压谐振实现软开关,采用高BVcesIGBT,最好具有快速开关性能,电压范围在10001,500 V,电流在1530 A;半桥式拓扑主要用于频率超过2 kW 的高功率应用如电磁炉炉面,需要2IGBT和隔离的门极驱动器,通过电流谐振实现软开关,采用高额定电流的IGBT,最好具有低VCE(sat),电压范围在600650 V,电流在4060 A



3:单端拓扑()和半桥拓扑()


[local]5[/local]


2:安森美半导体用于感应加热类白家电的IGBT阵容


总结
安森美半导体是领先的IGBT供应商,具备先进的IGBT技术和宽广的IGBT阵容,提供从600 V1500 V、涵盖平面型和沟槽型、FSFS4的高性能IGBTIGBT PIM。公司专有的沟槽场截止技术和封装优势,完美地平衡开关损耗和导通损耗,能满足各类应用和不同客户的需求。[local]1[/local]
我司有专业的溶解IGBT硅凝胶溶解剂,,只针对硅胶起作用,不伤害电子元件和芯片,
我司供应透明硅胶灌封A,B胶,合适可控硅,IGBT模组灌封
  电子专用硅凝胶是一种低交联密度的加成型有机硅橡胶,硫化前为低粘度液体,
13622758588,QQ 1227074559;   xiyan108@126.com
返回列表