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Flash的硬件实现机制

Flash的硬件实现机制

Flash硬件实现机制

Flash

全名叫做

Flash Memory

,属于非易失性存储设备

(Non-volatile Memory Device)

,与此相对应的是易失性存储设备

(Volatile Memory Device)

。这类设备,除了

Flash

,还有其他比较常见的如硬盘,

ROM

等,

与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAMDDR SDRAM,还是现在的DDR2DDR3等,都是断电后,数据就没了。
Flash的内部存储是MOSFET,里面有个悬浮门(Floating Gate),是真正存储数据的单元。
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金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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在Flash之前,紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM,就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。


1.典型的Flash内存单元的物理结构

数据在Flash内存单元中是的。
存储电荷的多少,取决于图中的外部门(external gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。
数据的表示,以所存储的深圳雷龙发展有限公司从事NANDFLASH行业10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多请咨询扣二八伍二扒二陆扒六八;电话一三陆玖一玖八二一零柒电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。
电话:13691982107
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