标题:
实验:SRAM数据存储器扩展
[打印本页]
作者:
bdxw0001
时间:
2010-6-15 10:56
标题:
实验:SRAM数据存储器扩展
一、实验目的
1.掌握89C51
单片机
扩展外RAM的方法 2.了解静态RAM使用方法
二、实验说明
MCS-51型单片机内有128B的RAM,只能存放少量数据,对一般小型系统和无需存放大量数据的系统已能满足要求。对于大型应用系统和需要存放大量数据的系统,则需要进行片外扩展RAM。 MCS-51型单片机在片外扩展RAM的地址空间为0000H~FFFFH共64KB。读写外RAM时用MOVX指令,用RD选通RAM OE端,用WR选能RAM WE端。
扩展外RAM芯片一般采用静态RAM(SRAM),也可根据需要采用E2PROM芯片或其他RAM芯片。本实验使用SRAM 6264芯片进行片外RAM扩展。6264具有8KB空间,因此它需要13位地址(A0~A12),使用P0、P2.0~P2.3作为地址线,P2.7作为片选线。6264的全部地址空间为0000H~1FFFH。 6264芯片引脚图及管脚功能介绍: D0~D7:数据线 A0~A12:地址线 WE:写允许,低电平有效 OE:读允许,低电平有效 CS1、CS2:片选端,CS1低电平有效,CS2高电平有效
三、实验内容与步骤
单片机在SRAM中填入不断增加的数值:0,1,2,3到9,然后再从0开始,共填入256个字节。然后把这些字符一个个类似串行方式在8位
LED
以二进制显示。从左边间隔1秒的方式不断进入,滚动显示。 1、单片机最小应用系统的 P0口接SRAM的D0~D7口,单片机最小应用系统的Q0~Q7口接SRAM的A0~A7口,单片机最小应用系统的 P2口接SRAM的A8~A12口,单片机最小应用系统的RD、WR、P2.7分别接SRAM的OE、WE、CS1,单片机最小应用系统的P1口接八位逻辑电平显示的JD10,仿真器与PC机用串口线连接,打开相关模块
电源
。 2、用串行数据通信线连接计算机与仿真器,把仿真器插到模块的锁紧插座中,请注意仿真器的方向:缺口朝上。 3、打开Keil uVision2仿真软件,首先建立本实验的项目文件,接着添加“SRAM.ASM”源程序,进行编译,直到编译无误。 4、编译无误后,运行程序逻辑电平显示0—9二进制数来回显示。 5、也可以把源程序编译成可执行文件,把可执行文件用ISP烧录器烧录到89S52/89S51芯片中运行。(ISP烧录器的使用查看AT89s51编程器制作方法)
四、流程图
开 始 初始化地址参数 写0~9到SRAM 写完256个 串行显示(本文转自:
IC交易网
)
欢迎光临 电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)
Powered by Discuz! 7.0.0