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标题: DiskOnChip G3:512Mb MLC NAND 闪存盘 [打印本页]

作者: wilfrid 时间: 2003-2-27 13:55 标题: DiskOnChip G3:512Mb MLC NAND 闪存盘

2月23日讯，M-Syatems公司推出一种移动DiskOnChip G3 512Mb闪存盘，它采用0.13um多级单元(MLC）NAND技术，在单一NAND存储单元中能存储两位信息。由于采用先进的内置控制器和独特的闪存媒体结构，移动DiskOnChip G3有增强的性能和无可匹敌的可靠性。其封装尺寸为85引脚的7x10x1.2mm FBGA，是业界最小的高容量非易失的存储器，能存储数据和代码，内部总线32位，支持DMA(64KB)和多突发式存取时间25ns(80MB/s)，NOR类接口，容易使用，内核工作电压3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗仅10uA，内置的2KB XIP引导区使它能完全替代NOR闪存。其它特性包括有突发模式读速度高达80MBps

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