电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: K4H1G0838M:1Gb 90nm DDR2 DRAM [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-6-27 14:22 标题: K4H1G0838M:1Gb 90nm DDR2 DRAM

6月23日讯,Samsung公司宣布将会采用更好的工作效率和增强性能的90m工艺,开始批量生产单片1Gb DDR2 DRAM芯片.

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)