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标题: 存储器的介绍(简化版)(一) [打印本页]

作者: fxfreefly    时间: 2010-11-17 17:18     标题: 存储器的介绍(简化版)(一)

存储集成电路分类:


RAM随机存储
DRAM动态 随机存储


SRAM静态 随机存储


ROM只读存储
MROM掩膜只读
 


PROM可编程只读
EPROM可檫写之读


EEPROM电可檫写之读


FPROM熔丝可编程


在ROM中:

1- 掩膜只读,制造时信息已经固定在存储单元里,所以不能重新改写数据。

2- A,可檫写只读,采用紫外线檫除所以又称紫外线檫写只读存储器,一般密封在石英玻璃窗口的容器里。

B,电可檫写,用电荷穿过绝缘膜改掉数据

C,熔丝可编程,采用通电使熔丝熔断而写入数据,一旦写入将无法改变,写入时要通以强大的电流。1M=1024K 1K=1021byte 1byte=8bit(比特位)



三星 MEMORY新编号

-
Example
Before
After

Part Number
DRAM
KM48S8030CT-GL
K4S640832C-TC1L

SRAM
KM68U10ELTGI-10
K6T1008U2E-YF10

FLASH
KM29W040AT
K9F4008W0A-TCB0

Mask ROM
KF5316J-1T
K3N3V316JD-GI12

Module
KMM366S823DTS-GL
M366S0823DTS-C1L


各厂商内存芯片编号
(1)HYUNDAI(现代)
   现代的SDRAM内存兼容性非常好,支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它,其SDRAM芯片编号格式为:HY 5a b cde fg h i j k lm-no
   其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);b代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);fg代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系);I代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-II,TD=13mm TSOP-II,TG=16mm TSOP-II);no代表速度(7=7ns[143MHz],8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
   例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
   市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难;编号ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也不行;编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲,编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100,75的是PC133的,但现代内存目前尾号为75的早已停产,改换为T-H这样的尾号,可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多,这可能是以前的屯货,但可能性很小,假货的可能性较大,所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

(2)LGS[LG Semicon]
   LGs如今已被HY兼并,市面上LGs的内存芯片也很常见。
   LGS SDRAM内存芯片编号格式为:GM72V ab cd e 1 f g T hi
   其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;ab代表容量(16=16Mbits,66=64Mbits);cd表示数据位宽(一般为4、8、16等);e代表Bank(2=2个Bank,4=4个Bank);f表示内核版本,至少已排到E;g代表功耗(L=低功耗,空白=普通);T代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);hi代表速度(7.5=7.5ns[133MHz],8=8ns[125MHz],7K=10ns[PC-100 CL2或3] ,7J=10ns[100MHz],10K=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=15ns[66MHz])。
   例如GM72V661641CT7K,表示LGs SDRAM,64Mbit,16位输出,4个Bank,7K速度即PC-100、CL=3。
   LGS编号后缀中,7.5是PC133内存;8是真正的8ns PC 100内存,速度快于7K/7J;7K和7J属于PC 100的SDRAM,两者主要区别是第三个反应速度的参数上,7K比7J的要快,上133MHz时7K比7J更稳定;10K属于非PC100规格的,速度极慢,由于与7J/7K外型相似,不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

(3)Kingmax(胜创)
   Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式,而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存,其大小是TSOP封装内存的三分之一,在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍,而且体积要小、更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm,线路阻抗也小,因此具有良好的超频性能和稳定性,不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好,例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
   Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题,因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时,你要注意别买了打磨条,市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存,所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度,注意观察内存上字迹是否清晰,是否有规则的刮痕,芯片表面是否发白等,看看芯片上的编号。
   KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒,这使它的速度得到了很大程度的提升,即使你用它工作在PC133,其速度也会比一般的PC133内存来的快;Kingmax的PC133内存芯片是-7的,例如编号KSV884T4A1A-07;而PC100内存芯片有两种情况:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-07)。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于:PC100的内存有相当一部分可以超频到133,但不是全部;而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下(CL=2)。

(4)Geil(金邦、原樵风金条)
   金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条,各种金邦金条的SPD均是确定的,对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存;金色金条P针对PC133服务器系统,适合双处理器主板;绿色金条是PC100内存;蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板,面向超频玩家;蓝V色金条针对KX133主板;蓝T色金条针对KT-133主板;银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
   金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
   其中GL2000代表芯片类型(GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金SDRAM=BLP);GP代表金邦科技的产品;6代表产品家族(6=SDRAM);LC代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);16M8是设备号码(深度*宽度,内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit,其中16 = 内存基粒容量;8 = 基粒数目;M = 容量单位,无字母=Bits,K=KB,M=MB,G=GB);4表示版本;TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP(第二代),U=μ BGA);-7是存取时间(7=7ns(143MHz));AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP(第二代)封装,0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。

(5)SEC(Samsung Electronics,三星)
   三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16);C代表电压(C=5V、V=3.3V);254代表内存密度256Kbit(256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx);D代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代)即三星256Kbit*16=4Mb内存。
   三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(4 = x4、8 = x8、16 = x16);S代表SDRAM;16代表内存芯片密度16Mbit(1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M);2代表刷新(0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K);3表示内存排数(2=2排、3=4排);0代表内存接口(0=LVTTL、1=SSTL);A代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代);G代表电源供应(G=自动刷新、F=低电压自动刷新);10代表最高频率(7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 )。三星的容量需要自己计算一下,方法是用"S"后的数字乘S前的数字,得到的结果即为容量,即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片,刷新为8K,内存Banks为3,内存接口LVTTL,第2代内存,自动刷新,速度是10ns(100 MHz)。
   三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下:
   Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
  Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
   三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);16表示内存芯片组成x16(4=x4、8=x8、16=x16、32=x32);H代表内存电压(H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]);4代表内存密度4Mbit(4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G);0代表刷新(0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]);3表示内存排数(3=4排、4=8排);0代表接口电压(0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V));T表示封装类型(T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP));Z代表速度133MHz(5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps))。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片,3.3V DDR SDRAM,刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs),内存芯片排数为4排(两面各两排),接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V),封装类型66针TSOP II,速度133MHZ。
  三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18);RD表示产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM);8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M);C代表封装类型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP);80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,BGA封装,速度800Mbps。




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