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标题: 存储器的介绍(简化版)(二) [打印本页]

作者: fxfreefly    时间: 2010-11-17 17:19     标题: 存储器的介绍(简化版)(二)

(6)Micron(美光)
   Micron公司是世界上知名内存生产商之一(如右图Micron PC143 SDRAM内存条),其SDRAM芯片编号格式为:MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
   其中MT代表Micron的产品;48代表产品家族(48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus);ab代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);cdMef设备号码(深度*宽度),无字母=Bits,K=Kilobits(KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB)Mricron的容量=cd*ef;ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);Ag代表Write Recovery[Twr](A2=Twr=2clk);TG代表封装(TG=TSOPII封装,DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,U=μ BGA);j代表功耗(L=低耗,空白=普通);hj代表速度,分成以下四类:
(A)、DRAM
-4=40ns,-5=50ns,-6=60ns,-7=70ns
SDRAM,x32 DDR SDRAM(时钟率 @ CL3)
-15=66MHz,-12=83MHz,-10+=100MHz,-8x+=125MHz,-75+=133MHz,-7x+=143MHz,-65=150MHz,-6=167MHz,-55=183MHz,-5=200MHz
DDR SDRAM(x4,x8,x16)时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHz,-75+=133MHz,-7+=143MHz
(B)、Rambus(时钟率)
-4D=400MHz 40ns,-4C=400MHz 45ns,-4B=400MHz 50ns,-3C=356MHz 45ns,-3B=356MHz 50ns,-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100(CL2和CL3)
-75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3)
-7支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2和CL3)
-7E支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2+和CL3)
(C)、DDR SDRAM
-8支持PC200(CL2)
-75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5)
-7支持PC200(CL2),PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM,16M8=16*8MB=128MB,133MHz

(7)其它内存芯片编号
   NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示:μPD4代表NEC的产品;5代表SDRAM;64代表容量64MB;8表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位,当数据位宽为16位和32位时,使用两位);4代表Bank数(3或4代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;2代表2个Bank);1代表LVTTL(如为16位和32位的芯片,则为两位,第2位双重含义,如1代表2个Bank和LVTTL,3代表4个Bank和LVTTL);G5为TSOPII封装;-A80代表速度:在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2(80=8ns[125MHz CL 3],10=10ns[PC100 CL 3],10B=10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范,12=12ns,70=[PC133],75=[PC133]);JF代表封装外型(NF=44-pinTSOP-II;JF=54-pin TSOPII;JH=86-pin TSOP-II)。
   HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示:HM代表日立的产品;52是SDRAM类型(51=EDO DRAM,52=SDRAM);64代表容量64MB;80表示数据位宽(40、80、16分别代表4位、8位、16位);5F表示是第几个版本的内核(现在至少已排到"F"了);空白表示功耗(L=低功耗,空白=普通);TT为TSOII封装;B60代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],A60=10ns[PC-100 CL2或3],B60=10ns[PC-100 CL3]即100MHZ时CL是3)。
   SIEMENS(西门子)内存芯片编号格式为:HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量,gh是速度(6=166MHz,7=143MHz,7.5=133MHz,8=125MHz,8B=100MHz[CL3],10=100MHz[PC66规格])。
   TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示:TC代表是东芝的产品;59代表SDRAM(其后的S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM);64代表容量(64=64Mb,M7=128Mb);08表示数据位宽(04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);B表示内核的版本;FT为TSOPII封装(FT后如有字母L=低功耗,空白=普通);80代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns[100MHz CL=3])。
  IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10,其中IBM代表IBM的产品;03代表SDRAM;16代表容量16MB;80表示数据位宽(40、80、16分别代表4、8、16位);C代表功耗(P=低功耗,C=普通);D表示内核的版本;10代表速度(68=6.8ns[147MHz],75A=7.5NS[133MHz], 260或222=10ns[PC100 CL2或3],360或322=10ns[PC100 CL3],B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为:135MHZ,10=10NS[100MHz]。

AM 29LV640(1D)(2U) 90R (3WH) (4I)



1-表示工艺 B-0.32μm C-0.32μm,thin-film D--0.32μm,thin-film M-mirror Bit

Q--0.17μm,thin-film

μm=微米=1000奈米 thin-film:磁或光学薄膜 mirror Bit:镜子反映真实的比特位



2-表示扇区的方式

T:TOP B:BOTTOM H:Unifom highest addres L: Unifom lowest addres

U:Blank-unifon

3-表示封装

P:PDIP J:PLCC S:SOP Z:SSOP

E,F:TSOP M,P,W:FPGA

4-温度范围

C:0-70 I:-40-85 E:-55-85

B-B,公司隔离型DC-PC产品,DCP,DCR,DCU开头

  后缀DB或D表示正负电压输出

后缀B或空 表示正电压输出



ISSI的常用格式

      IS XX X XXX — XX X

      1 2 3 4 5 6

1:前缀

2:类别 24,93:EPROM 25,28:FLASH 21:EPROM 6X:SRAM

3:电压C:5V LV:3.3V WV:2.65-3.6V S:3.3V SP:3.3V

4:容量

5:速度,用ns表示

6:封装 J:300mil SOJ K:400mil SOJ N:300mil DIP PL:PLCC

       Q:450mil SOP S:300mil SOP T:TSOP J:330mil SOP

       V:TSOP W:600milDIP Z:TSSOP





SST的常用格式

    SST 28 SF 040 A- 90 -4I- N H

    1 2 3 4 5 6 7 8 9

1:前缀

2:系列

3:电压 EE,SF:5V LE,VF:3.3V

4:容量

5:如果带A表示特殊作用版本

6:速度

7:C:民用 I:工业用

8:封装 N:PLCC P:DIP W:宽SOP E:窄SOP

9:脚位 H-32pin I-40 pin K-48 pin

注意:如果后缀AF和AFU区别为脚间距不同。



UT常用格式

    UT 62 256 CSC -70 LL

     1 2 3 4 5 6

1:前缀

2:RAM种类

3:容量256=32M*8位

4:封装 CLS-TSSOP SLC-TSOP CPC:DIP CSC:SOP

5:速度

6:相当于ns




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