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标题: 存储器的介绍(简化版)（二） [打印本页]

作者: fxfreefly 时间: 2010-11-17 17:19 标题: 存储器的介绍(简化版)（二）

（6）Micron（美光）
　　 Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
　　其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：
（A）、DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）、Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号
　　 NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL 3］，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。
　　 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ时CL是3）。
　　 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［CL3］，10=100MHz［PC66规格］）。
　　 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3］）。
　　IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］，　260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS［100MHz］。

AM 29LV640（1D）（2U） 90R （3WH）（4I）

1-表示工艺 B-0.32μm C-0.32μm，thin-film D--0.32μm，thin-film M-mirror Bit

Q--0.17μm，thin-film

μm=微米=1000奈米 thin-film：磁或光学薄膜 mirror Bit：镜子反映真实的比特位

2-表示扇区的方式

T：TOP B：BOTTOM H：Unifom highest addres L: Unifom lowest addres

U:Blank-unifon

3-表示封装

P：PDIP J：PLCC S：SOP Z：SSOP

E，F：TSOP M，P，W：FPGA

4-温度范围

C：0-70 I：-40-85 E：-55-85

B-B，公司隔离型DC-PC产品，DCP，DCR，DCU开头

  后缀DB或D表示正负电压输出

后缀B或空表示正电压输出

ISSI的常用格式

   IS XX X XXX — XX X

   1 2 3 4 5 6

1：前缀

2：类别 24，93：EPROM 25，28：FLASH 21：EPROM 6X：SRAM

3：电压C：5V LV：3.3V WV：2.65-3.6V S：3.3V SP：3.3V

4：容量

5：速度，用ns表示

6：封装 J：300mil SOJ K：400mil SOJ N：300mil DIP PL：PLCC

   Q：450mil SOP S：300mil SOP T：TSOP J：330mil SOP

   V:TSOP W:600milDIP Z:TSSOP

SST的常用格式

SST 28 SF 040 A- 90 -4I- N H

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1：前缀

2：系列

3：电压 EE，SF：5V LE，VF：3.3V

4：容量

5：如果带A表示特殊作用版本

6：速度

7：C：民用 I：工业用

8：封装 N：PLCC P：DIP W：宽SOP E：窄SOP

9：脚位 H-32pin I-40 pin K-48 pin

注意：如果后缀AF和AFU区别为脚间距不同。

UT常用格式

UT 62 256 CSC -70 LL

   1 2 3 4 5 6

1：前缀

2：RAM种类

3：容量256=32M*8位

4：封装 CLS-TSSOP SLC-TSOP CPC：DIP CSC：SOP

5：速度

6：相当于ns

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