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标题: 130nm 8HP:第四代硅锗(SiGe) BiCMOS工艺 [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-8-8 14:33 标题: 130nm 8HP:第四代硅锗(SiGe) BiCMOS工艺

8月5日讯,IBM公司宣布它的第四代硅锗工艺技术8HP具有比以前的工艺2X性能.这种称为8HP的130nm硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(DiCMOS)工艺术能降到移动消费类电子产品和先进的高带宽无线通信系统的成本,能助于创新应用如汽车防碰撞雷达.

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