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标题: uESD3.3D/5.0D:新低高度封装ESD抑制器件 [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-8-8 14:33 标题: uESD3.3D/5.0D:新低高度封装ESD抑制器件

8月3日讯, 安森美半导体（ON Semiconductor）公司推出微型ESD双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管uESD3.3D和uESD5.0D.uESD双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计，适于需要最小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统.

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