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标题: [讨论]EEPROM的擦除时间 [打印本页]

作者: lilacindream 时间: 2005-8-19 23:30 标题: [讨论]EEPROM的擦除时间

我用的是9S12DG128，写了一个写内部EEPROM的程序，结果测得EEPROM的擦除4B的时间大概是20ms左右，大侠们可有高招能将这个时间缩短？比如说用中断？

作者: maingao 时间: 2005-8-23 10:17

4bytes用20ms?这好像是有点问题吧!你是怎么处理的呢？
数据手册上的典型的擦除时间是多少呢？

作者: lilacindream 时间: 2005-8-23 12:05

我看了9S12DG128的datasheet，用上面的公式算出来的典型时间也是20ms，具体计算公式如下:
Sector Erase
Erasing a 512 byte Flash sector or a 4 byte EEPROM sector takes:
Tera=4000*(1/f nvop)
其中fnvop=200K(最大值)
故Trera＝20ms
应该没有错吧？

作者: strongchen 时间: 2005-8-23 14:49

从数据手册看，擦除一个512字节的FLASH扇区和擦除一个4字节的EEPROM扇区一样，都要大约20mS的时间。

作者: maingao 时间: 2005-8-23 16:14

如果是这样就没问题了，软件优化已经没有作用了!

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