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标题: 分析DRAM涨价成功原因 [打印本页]

作者: stc12f 时间: 2011-5-18 17:07 标题: 分析DRAM涨价成功原因

DRAM合约价再度喊涨成功，虽然5月上半涨幅仅2~3%，但传出三星电子(Samsung Electronics)成功将2GBDDR3模块价格拉升至19美元，成为这次拉升合约价主要推手，次要因素则是近期传出海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)40纳米制程良率不顺和设计问题，导致合约市场持续供给吃紧。不过，现货市场需求却再降温，现货和合约价格差距幅度逼近15%，是过去相当少见差距。
2011年以来DRAM合约和现货市场价格背离现象愈益严重，自从日本311大地震后，合约市场供需更吃紧，但现货市场需求持续低迷，随著5月DRAM合约再度成功调涨，2GBDDR3模块价格平均为18.75美元，最高价来到19美元，换算2GbDDR3芯片为2.1美元，相较现货价格仅1.8美元，价差约15%。
5月合约价成功调涨推手是三星，2GB DDR3模块19美元高价，亦是三星祭出的价格，多数PCOEM厂都接受此价格，主因在于品牌DRAM大厂货源吃紧。存储器业者表示，DRAM厂进入40纳米制程后，技术门槛越来越难跨过，虽然这次尔必达被点名40纳米良率不顺，但不是良率真有多大问题，而是无法达到过去制程高良率水平，而海力士40纳米则被点名是设计问题。
由于能供给PCOEM厂DRAM货源大幅减少，加上日本强震后，PCOEM厂原本就担心会有短缺问题，且原本库存用到4、5月左右，本来就预定是需要回补时候，偏偏此时遇到40纳米技术障碍，使得合约价格有了推升诱因。
反观现货市场，下游客户反应冷芯片解密到极点，且过去现货和合约价格有一个先动，另一个都不会脱勾太久，但这次合约价一直往前冲，现货价却不动如山，两者价差已达15%，是过去少见情况。模块厂指出，目前出厂的计算机都是内建4GB模块起跳，消费者根本不需要再去零售市场买模块升级，现货市场萎缩可能会是常态，但DRAM厂生意则会持续加温。
另外，原为现货市场霸主的力晶退出第1线品牌销售后，现货市场光芒顿时失色许多，虽然由尔必达接手原本力晶业务，但目前现货市场流通货源相当有限，亦是价格无法提升因素之一。

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