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标题: NAND128WW3A2BN6E:90nm的128Mb NAND [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-8-29 15:34 标题: NAND128WW3A2BN6E:90nm的128Mb NAND

8月29日讯,ST公司推出采用90nm工艺技术的128Mb NAND闪存器件NAND128W3A2BN6E.缩小到90nm降低了存储器芯片的成本和功耗,这些闪存广泛应用在成本效益的消费类电子产品如数码相机,音频录音机,PDA,机顶盒(STB),打印机和各种闪存卡.NAND128是目前市场上采用90nm工艺技术的唯一128Mb闪存. NAND128W3A2BN6E是3V器件,TSOP封装,主要用在消费类电子产品.其它的系列产品256Mb和512Mb有3V和1.8V两种信号,也将在未来几个月内从120nm转到采用90nm工艺技术.

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