说起存储器IC的分类，大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。

RAM是Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可以分成SRAM(Static RAM：静态RAM)和DRAM(dynamic RAM：动态RAM)。

ROM是Read Only Memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM(有时直接称为ROM)、PROM(ProgrammableROM：可编程ROM，特指一次编程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可编程的ROM，擦除时用紫外线)、EEPOM(Electrically Erasable ProgrammableROM：电可擦除可编程ROM)。

以上是大家在各种教材上看到的存储器的分类。

问题是，ROM明明叫只读存储器，也就是不可写的存储器，现实是除了掩膜ROM是不可写的外，PROM、EPROM、EEPOM事实上都是可写的。它们的名称中还带有“ROM”是名不副实的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM这几种存储器的共同特点其实是掉电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。

SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失，所以也可称为易失性存储器(Volatilememory)。

于是，存储器从大类来分，可以分为易失性存储器和非易失性存储器。

后来出现的Flash Memory(快闪存储，简称闪存)，掉电后数据也不容易丢失，所以也属于非易失性存储器。Flash Memory的名称中已经不带ROM字样了，但是传统的分类方法中，还是把Flash Memory归类为ROM类，事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。

把存储器分为易失性存储器和非易失性存储器就万事大吉了么？

令人纠结的是，有一种新的存储器，它既是非易失的，同时又是能够高速随时读写数据的，也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。

于是，存储器的分类令人纠结。传统的分为RAM与ROM的方式本来就不科学。如果按分成RAM与非易失性存储器这两大类，也不科学，因为这个分类本身就不是按同一个标准分，导致FRAM即属于RAM，又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器，又导致FRAM与SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，凭什么分开是吧。

我的建议是，存储器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类比较合适。

于是，存储器的分类如下(按存取速度分类)：

1、
随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；

2、
非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM、Flash Memory。

差强人意的分类为(按易失性分类)：

1、
易失性存储器：SRAM、DRAM；

2、
非易失性存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM、Flash Memory、FRAM

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