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标题: BFP740F:超低噪音6GHz硅锗碳HBT [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-9-1 14:38 标题: BFP740F:超低噪音6GHz硅锗碳HBT

8月31日讯,Infineon公司推出新型采用硅锗碳(SiGe:C)工艺技术的高性能射频(RF)半导体器件BFP740F.创新的SiGe:C技术是Infineon最新一代异质结双极晶体管(HBT)的基础,提供业界最低噪音的硅分立器件,在6GHz的噪音为0.75dB,6GHz的增益高达19dB. 随着推出的新型BFP740,Infineon所得到的硅性能,以前仅能用更昂贵的GaAs技术才能获得.

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