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标题: 瑞萨的无电容双晶体管RAM提高SoC性能 [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-9-30 15:02 标题: 瑞萨的无电容双晶体管RAM提高SoC性能

9月26日讯,瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布该公司已开发出可以实现高速运行和具有低功耗能力的高密度无电容器双晶体管RAM（TTRAM）。来自瑞萨的研究人员于9月20日在美国加利福尼亚圣何塞举行的2005年IEEE定制集成电路会议（CICC）上提交的论文中透露了TTRAM的细节.这种采用65nm和新一代工艺的先进存储器在2Mb测试芯片中实现了快速运行（250MHz）和低动态功率（148mW）.

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