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标题: FDS7066SN:30V 19A N-MOSFET [打印本页]

作者: wilfrid 时间: 2003-5-7 12:01 标题: FDS7066SN:30V 19A N-MOSFET

4月24日讯，Fairchild半导体公司推出一种新系列MOSFET FDS7066SN，它采用Fairchild的倒装引线模块封装(FLMP(Flip Leaded Molded Package))和SyncFET硅技术，大大地改善了同步DC/DC降压转换器的性能和整个系统的成本。它集成了肖特基二极管，在单一封装内提供和独立封装的MOOSFET相同的功能(处理大功能和电流)以及肖特基整流器。这种集成降低了50%的空间，节约了成本和制造时间。采用Fairchild的高效率FLMP SO-8封装和SyncFET技术，性能得到从未有过的改善。30V 19A的N-MOSFET的热效率高(结到外壳的热阻为0.5度C/瓦)，导通电阻很低(10Vgs时为4.5毫欧姆)，很适合用在同步DC/DC转换器的低边开关

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