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标题: [转帖]HMS30C7202部分阅读摘要（不对的地方指正！） [打印本页]

作者: Duangang_hu 时间: 2005-11-9 14:20 标题: [转帖]HMS30C7202部分阅读摘要（不对的地方指正！）

关于主要模块：

1）.RISC核，适合于控制，不适合于计算
2）.8K的指令数据cache
3）.MMU单元
4）.小印模式操作系统
5）.2KSRMA
6）.所有的外围系统可以独立设置省电模式（是否上电）
6.1）多通道的DMA
6.2）带看门狗的4时钟通道
6.3）智能中断控制器
6.4）ROM,FLASH,SRAM,SDRAM控制器
6.5）电源管理器
6.6）LCD控制器：单色/彩色STN 和 TFT(薄膜工艺学) LCD
6.7）实时时钟（32.768kHz）
6.8）红外通信
6.9）四个通用串行控制器
6.10）PS/2的键盘鼠标接口控制器
6.11）两脉宽的调制接口
6.12）矩阵键盘(8*8)支持
6.13）GPIO
6.14）MMC/SMC卡接口
6.15）两路CAN总线
6.16）USB（slave）方式
6.17）片载AD/DA控制器
6.18）锁向环3个

主要特点：
1.）支持JTAG的调试接口和boundary scan
2.）0.25umCMOS技术
3.）内部2.5V，外部IO3.3V
4.）256引脚QFP和BGA封装
5.）低功耗设计

overview
1.）内部2kRAM主要用于中断服务程序，可以大大提高中断响应速度。
2.）特别是用PDA，winCE，对智能电话，inter网应用，嵌入式PC非常有用。

1 体系结构
1.1处理器
   8Kwrite-through的缓存...
1.2视频
   最大640x480 (VGA)的解析度，16位颜色，单色直接产生16个灰度级别
1.3内存
   16位访问宽度的内存接口。连接两个16, 64,128 or 256MBit SDRAM设备，也就是说，最大扩展到256*2/8=64MBytes的内存。支持突发ROM处理，提高性能，可以让操作系统直接从ROM启动。ROM是32位的数据宽度，和SDRAM是分离的。因为分离，所以指令运行和DMA操作SDRAM可以并行。
1.4内部总线结构
   内部总线基于AMBA标准，在外围总线上稍作改动。包含3个主要总线：
1.）CPU和内存控制器使用的主系统总线（ABS）
2.）高带宽的外围总线APB
3.）慢速的APB
  还有一个分离的视频DMA总线
1.4.1ASB总线
  ASB总线是为了使ARM能够连续访问ROM和SDRAM而设计的。SDRAM有分离的总线和ASB，视频模块连接，所以两边的操作可以并行。
1.4.2视频
  DMA。地址总线，数据总线，对SDRAM的控制总线。LCD寄存器通过ASB进行编写。LCD和ASB对SDRAM的竞争仲裁由内存控制器来完成。
1.4.3APB
  快速和慢速。快速APB和ASB控制速度一样，包括USB，声音输出接口和LCD寄存器的编写。
  慢速APB以UART的时钟来工作，寄存器配置仍然通过快速APB。
  APB从AMBA改过来的，允许DMA访问外部快速APB外围设备
1.5SDRAM控制器
  2－64MB。双路总线。视频的优先级高。突发访问长度16个字。一次突发，只有第一次地址有效。
1.6外围DMA
  4路通用DMA。DMA驱动于ASB的总线控制器，优先级高于处理器，以获得最小延迟。
  DMA的一个应用使传输声音，声音88。2KBps，为了利用合理，向声音控制器传输的宽度是一个单字。
  每个SDRAM的访问都是一个4字访问。声音和处理器并发访问SDRAM的时候，声音传输占用系统总线的0.75%。
  因为AMBA兼容，一个字的声音传输是两个总线周期。
  9中有详细的快速AMBA总线描述。
1.7外围总线（如果不用的话，引脚作为GPIO或者矩阵键盘）
  一个UART支持猫信号。
  iRDA使用UART1作为红外传输，速率115Kbps。
  MMC（多媒体卡），SSFDC（固定状态软盘卡）。
  两个脉宽调制PWM（不知道做什么用）。
  DAC提供8位的立体声
  5通道的ADC用于触屏，声音输入，两路电压监控。对触屏不需要外部晶体管开关。
  CPU，视频，USB的时钟是由3个PLL锁相环产生（3.6864M赫兹的输入时钟）
1.8电源管理
  由中断中指慢速模式和standby模式进入正常运行。
  支持运行，慢速运行，空闲，睡眠，深度睡眠5中工作模式。
1.9测试和调试
  ARM标准TIC控制器允许32位向量访问内部总线。可以访问macro-cell核，内存映射设备和HMS30C7202的外围总线。
  包括ARM的调试体系结构（潜入式ICE），使用JTAG接口支持潜入式处理器的调试码。

作者: Duangang_hu 时间: 2005-11-9 14:20

2 引脚描述
MQFP，256引脚，CABGA，256引脚
E2PROM引脚是可以直接写ROM的。
SRAM，ROM和FLASH使用的相同总线接口？！（统称静态存储器接口）
68个GPIO分成ABCDE五组，每组GPIO都是多功能定义的。


2.2.2多功能引脚
五组GPIO的定义：
1）PORTA：
  控制寄存器：AEN : GPIO PORT A 允许寄存器 (0x8002.301C).
            AMULSEL : GPIO PORT A 多功能选择寄存器(0x8002.30A4).
  AEN  AMULSEL  PORTA引脚功能
0    0    矩阵键盘扫描码
1    0    标准的GPIO功能，可以有用户自己定义
0    1    I2S总线功能；UART2和UART3串口；红外接口
1    1    按照标准GPIO来使用。
上面几种情况都是在nTES和nPLLENABLE这两个信号有一个有效的情况下选择的模式。如果这两个信号都为0，那么PORTA就作为模拟测试接口了！
2）PORTB：
  控制寄存器：BEN : GPIO PORT B 允许寄存器(0x8002.303C).
  nTEST nPLLENABLE BEN* PORTB引脚功能
1    0    0    6-11GPIO,UART0的控制信号
1    0    1    全部作为GPIO使用
1    1    *    UART和TBF
0    1    0    TBF,TBL,TBC（不知道干什么的）
0    1    1    UART,TREQ,TACK,TAB8/7
0    0    *    TAB8/7，TACLK,TREQA/B
3）PORTC：
  控制寄存器：CEN : GPIO PORT C 允许寄存器(0x8002.305C).
  (nTEST | nPLLENABLE) & CEN* PORTC引脚功能
   1       1       0    PWM，CAN总线，PS接口，DMA，部分静态存储器接口控制信号nRCS片选输出
   1       0       0    全部作为GPIO使用
   0       0       *    TDD和TAD（不知道干什么的）

4）PORTD:
  控制寄存器：DEN : GPIO PORT D 允许寄存器(0x8002.307C).
  (nTEST | nPLLENABLE) & DEN* PORTD引脚功能
   1       1       0    LCD引脚
   1       0       0    全部作为GPIO使用
   0       0       *    PLL引脚
5)PORTE:
  控制寄存器：EEN : GPIO PORT D 允许寄存器(0x8002.309C).
  (nTEST & halfwordsel & DEN* & SWAP)  PORTE引脚功能
   1       0       0    *    静态存储器数据总线，MMC，CAN1,RA24(?)
   1       *       1    *    全部作为GPIO使用
   1       1       0    0    USB,UVM,UVP,SMART卡，
   1       1       0    1    和上面这个一样，只是对应的引脚不同
   1       1       0    0    静态存储器数据总线，部分引脚(16-23)还可以做GPIO(只写).
如果nTEST和nPLLENABLE（不是halfwordsel ）都为0，只做TDD

从上面的模式可以看出，不是所有的功能都能够共存的，对于互斥的功能要搞清楚了，对调试会有比较大的指导作用。

USB测试不太懂

3 ARM720T微核
  参考ARM720T Data Sheet(DDI 0087).
4 内存映射
  5个内存映射的划分；
  ROM最大占用256M的访问空间，分成4个外部ROM片选，每片不能超过32M（因为地址是25根）。
  SDRAM最大占用从0x4000：0000开始的2G空间，最大支持64MSDRAM。0x4400:0000-0x4800:0000区间的写入，会修改SDRAM的模式寄存器（0和1）
  外围设备分为三个主要分区：ASB，快速APB，慢速APB
  表3-2有详细的叙述，对于编写bootloader程序和驱动程序非常重要。
5 PMU(电源管理)和PLL（锁相环）
5.1快功能
  clock发生器；
  FCLK，cpu何sdram使用的时钟；从PLL3获得，从49.7664 MHz 到82.944 MHz之间，6位寄存器（ClkCtl）控制，缺省70.0416。
  改变过程。bit6=1,写入到bit5-0的值直接送到PLL的引脚，导致循环到解锁状态(unlock),从而关闭FCLK。
  bit6=0时的频率切换：
向ClkCtl中写入新值；
设置一个实时时钟告警在2秒之内唤醒hms30c7202;
通过设置PMUMode寄存器让cpu进入深睡模式；
hms30c7202会在写入新值以后开始powerup
  BCLK：FCLK的2分频
  VCLK:由PLL1获得，给LED使用；（24.8832MHz 到 41.472MHz，缺省30.4128）。在BnRES=1，或者深睡的时候停止。环形过程只能通过软件！
  CCLK:由PLL2获得，给CAN和USB使用；48MHz.其他性质同上。
5.2PMU的状态机
  参考图5-1
5.3唤醒debounce和中断
  注意PMUSTAT寄存器
  HotSync（portb10）也是一个唤醒源（可以由中断屏蔽字控制）
  nDCD是一个从串口来的唤醒源
5.4寄存器
Address    Name Width Default Description
0x8000.1000 PMUMODE  4             PMU Mode Register
0x8000.1010 PMUID 32             PMU ID Register
0x8000.1020 PMUSTAT  17             PMU Reset/PLL Status Register
0x8000.1028 PMUCLK 16    0x1B    PMU Clock Control Register
0x8000.1030 PMUDBCT  9             PMU Debounce Test Register
0x8000.1038 PUMPLLTR 21             PMU PLL Test Register

PMUCLK：如果bit6=0，写入的值只有在下一次lock的时候才能够生效，所以必须先进入深睡状态才行。

sticky bit，不懂
WarmReset，PMUSTAT

作者: Duangang_hu 时间: 2005-11-9 14:20

6 SDRAM控制器
CKE可以控制SDRAM power down；
可编程的CAS潜伏
支持2/4bank，页大小可以是256或者512个字节（半字）
可编程的自刷时间
用DMA2的支持外部设备接口。

SDRAM允许同时打开4个memory bank。打开的bank可能存在于不同的设备中。

有4个寄存器控制：配置，刷新时间，写快闪时间，等待驱动器。
配置寄存器配置连接的SDRAM的片数，他们是2bank的还是4bank的。
刷新时间是指在两次刷新之间要经历多少个BCLK的节拍。
写快闪时间是指，最后一次写操作到把缓冲器内容再写入SDRAMBCLK之间的节拍数。
等待驱动器，用于定一些外部设备时需要等待的时间。

Address Name Width Default Description
0x8000.0000 SDCON 32 0x00700000 Configuration register
0x8000.0004 SDREF 16 0x0080 Refresh timer
0x8000.0008 SDWBF 3 0x1 Write back buffer flush timer
0x8000.000C SDWAIT 4 0x1 Wait driver register

SDRAM德模式寄存器在后面。有一个软件管理的流程范例图6-1。

6.3SDRAM的启动过程
  提供电源
  等待一个预制的设置时间（通常是100us）
   CPU在通过设置R位启动SDRAM自刷以前，需要等待一个setting time.这个设置时间是相对于SDRAM的时钟生效开始算起的。CPU在写入SDRAM的模式寄存器之前，要给SDRAM足够的时间建立厂商制定的自刷时间生效。
  完成至少两个刷新周期
  写入SDRAM模式寄存器
  SDRAM的模式寄存器写入方式是通过一次读操作完成的。读的时候，地址线A[14-0]表示模式寄存器的内容，高位选择SDRAM的模式寄存器映射地址（前面内存映射表中提到）。0x4400:0000-0x4800:0000
  AMBA和SDRAM地址线的对应关系在表6-2中描述。
  AMBA的第25位选择要初始化的设备。
  SDRAM的CAS潜伏时间必须初识化为和SDRAM的控制寄存器中c[1.0]定义的一样，并且突发访问的长度为8。

6.4 SDRAM的内存映射
  上面说的A[14-0]表示的是SDRAM地址线，它和CPU内部的地址线不是顺序对应的，有表对应。
  接不同大小的SDRAM布线是不同的。
  A25作为设备选择。0：设备0；1：设备1；

6.5 AMBA访问和仲裁
  LCD最高，然后是刷新要求，最后是主总线外设（PMU,ARM,DMA）顺序有主总线仲裁器决定
  视频SDRAM访问的突发长度是16。没有等待周期，只有读周期，没有写周期。
  因为自刷低于视频，所以要考虑时间问题，视频的一次访问导致的SDRAM最大占用时间大概11微秒，对于内存自耍通常需要的15微妙小，所以没有什么问题！
  word:32位；halfword:16位；byte：8位
  对于非整字访问，总线上的数据是复制出现的。也就是说对于半字，高16位和第16位是完全相同地出现在数据总线上。

6.6 合并写缓冲
  SDRAM控制器提供8个字的合并写缓冲。
  分两组，一组作为写；一组作为回写。类似于fifo的功能。一个从CPU接收数据，另外一个写入SDRAM。当接收满了，或者一个对正在写入地址的读操作，或者一个回写时间超时事件（这个时间是可编程的）。

7 静态存储器接口
  静态存储控制器（SMI）连接AMBA的高级系统总线ASB和外部总线接口EBI。
  可以控制4个分离的内存设备或者扩展块。每个bank32M,独立可编程。
  数据宽度支持81632几种模式。
  可变等待周期（最多16个）。
  支持突发读访问。
7.2SMI功能
  内存bank的选择；
  访问顺序；
  等待周期发生器；
  突发读控制；
  字节通道(lane)写控制
7.2.2访问顺序
  如果外部存储器bank是8位的活着16位的，SMI来完成外部的窄总线和内部AMBA的ASB宽总线之间的解复用功能。
7.2.3等待周期产生
  一个是最多16个周期的延迟；另外一个是用EXPRDY来控制等待（和ISA的CHRDY相似）。
7.2.4字节通道控制
  用BA[1..0]作片选，BSIZE控制读写宽度
  分成32位，16位和8位外部总线。对于16位和8位宽的外部总线，确切写入还和IA[1..0]相关。

7.5内部SRAM
  内部2KSRAM可以重映像。两个寄存器分别定义重映像的大小和位置(0x8000-1040,0x8000-1048)。

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