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标题: 瑞萨电子宣布推出低功耗P通道MOSFET [打印本页]

作者: forsuccess 时间: 2012-2-27 23:52 标题: 瑞萨电子宣布推出低功耗P通道MOSFET

2012年2月16日，日本东京讯——全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子（Li-ion）二级电池的充电控制开关和与AC适配器进行电源转换的电源管理开关等用途进行最佳化的&micro

A2812T1L。

近年来，市场对于笔记本电池在整体系统的低功耗、在采用电池电源时更长的运行时间以及更小、更轻薄的外形因数等方面的需求日益提高。功率MOSFET用于锂离子二级电池中的控制开关，以及AC适配器电源转换的电源管理开关，它们必须能够承载操作整个系统所需要的大电流，因此需要降低工作电阻的需求（导通电阻），从而降低系统的整体功耗。同时，由于笔记本电脑的机身变得日益轻薄紧凑，因此对于更小型、更轻薄锂离子电池包的需求日益增强。

为了满足上述需求，瑞萨电子开发了一种新的制造工艺，相对于其它创新而言，它采用了极其细微的工艺技术，在面对相似的应用时，在相同的有效范围内，与之前制造MOSFET的工艺技术相比，将导通电阻降低一半。此次包括&micro

A2812T1L在内的五款新产品，都在很小的封装内，提供了低导通电阻。

新款P通道功率MOSFET的主要特性：
业界最低的导通电阻，实现了更好的系统功率效率并增加了电池的工作次数
新款MOSFET的导通电阻值大约为瑞萨电子原有产品的一半。&micro

A2812T1L采用紧凑型3.3mm正方形封装，并实现了业界最低的4.2 mΩ（典型值）的导通电阻，并可保持低功耗，提升系统整体的电源效率，使用锂离子二次电池时可延长使用时间。
较低的导通电阻的还包括其他优点，例如以采用新款μPA2812T1L的电路取代采用瑞萨电子原有的μPA2810T1L平行连接的电路，可降低整个系统的安装面积。
安装面积约为具有同等性能的原有产品的三分之二，从而尺寸更加紧凑的系统。
较早期的瑞萨电子产品以SOP-8的封装提供与新款&micro

A2812T1L相同的低导通电阻，但面积约为新款产品的三倍大。采用&micro

A2812T1L可以缩减大约三分之二的安装面积，为笔记本电脑提供尺寸更小的电源供应系统。
涵盖大范围运作电流等级的完整洗了产品
在五款新产品中，&micro

A2812T1L的额定导通电阻范围从4.2 mΩ至12 mΩ（典型），客户可以选择最符合其运作电流、环境条件等要求的产品版本。
小尺寸3.3mm正方形封装（HVSON（3333））提供了极好的散热效果，其设计可让封装内的热量通过外露的引线框散发到所安装的电路板上。由于器件周围的热量少于采用SOP-8等低效散热封装的热量，因此能够设计尺寸较轻巧的锂电池。

瑞萨电子计划进一步扩展功率MOSFET器件的阵列，提供更强大的功能和尺寸更紧凑的封装。结合功率MOSFET器件和锂离子电池充电器控制IC等套件，将为系统设计者提供更广泛的、灵活的系统解决方案。

定价和供货情况
瑞萨电子新款MOSFET的样品现已推出，每片价格为0.6美元。计划于2012年4月开始量产，至2013年4月，每个月的产量有望达到5,000,000。（价格和供货情况如有变更，恕不另行通知。）

P通道功率MOSFET的产品规格

产品产品漏电-源电压(VDSS) (V)门-源电压(VGSS) (V)漏电流(ID) (A)导通电阻(mΩ)输入电容 (Ciss) (pF)封装
VGSS = 10 VVGSS = 4.5 V
TypMaxTypMax
&micro

A2812T1L-30±20304.25.26.99.93850HVSON(3333) <3.3 × 3.3 mm2>
&micro

A2813T1L-30±20275.679133160
&micro

A2814T1S-30±20247.2912172810
&micro

A2815T1S-30±202191216231760
µPA2816T1S-30±2017121828451210

(本文转自电子工程世界：http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0227/article_14623.html)

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