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标题: ST 512Mb NOR闪存+PSRAM/LPSDRAM子系统 [打印本页]

作者: ljp099 时间: 2005-11-30 15:36 标题: ST 512Mb NOR闪存+PSRAM/LPSDRAM子系统

11月29日讯,ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统.这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb 和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器(PSRAM)或低功耗同步动态随机存取存储器(LPSDRAM).采用ST的现代90nm工艺技术制造,新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和更好的性价比.fficeffice" />

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