标题:
利用正向压降测量半导体结温
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作者:
porereading
时间:
2012-3-13 19:04
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利用正向压降测量半导体结温
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利用正向压降测量半导体结温
类型:
产品说明
大小:
652323B
语言:
中文
发布时间:
2011-04-29
文档介绍:
从集成电路中数以百万计晶体管到制造高亮度LED的大面积复合结,半导体结可能由于不断产生的热量而在早期发生故障。当特征尺寸缩小并且当所需电流增大的情况下,这会成为非常严重的问题,甚至正常操作也可能聚积热量,使结温升高。温度上升会导致半导体结内部的故障增加,进而使性能降低、使用寿命缩短。因此,需要一种准确测量半导体器件温度的方法,避免出现危险的高温。本文介绍了一种用常规测试和测量仪器测量结温的简单方法,并且如何用测量的结温监视指定器件的工作条件。
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