| 标题: | 相变存储器：基本原理与测量技术 | ||
| 类型: | 产品说明 | 大小: | 307320B |
| 语言: | 中文 | 发布时间: | 2011-04-29 |
| 文档介绍: | | ||
| 相变存储器（可缩略表示为PCM、PRAM或PCRAM）是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存，因为它不仅比闪存速度快得多，更容易缩小到较小尺寸，而且复原性更好，能够实现一亿次以上的擦写次数。本文将为您介绍相变存储器的基本原理及其最新的测试技术。 | |||
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