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标题: 日立与瑞萨的低功耗MOS相位转换存储器单元 [打印本页]

作者: ljp099    时间: 2005-12-19 15:32     标题: 日立与瑞萨的低功耗MOS相位转换存储器单元

1213日讯, 日立有限公司与瑞萨科技公司Renesas Technology Corp.今天发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,这些原型可在下一代微控制器中为诸如信息设备、家用电器,以及车载设备和控制系统等嵌入式应用的片上编程和数据存储提供一种颇具前途的解决方案。fficeffice" />






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