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标题: 介绍Vishay 威世科技的先进工艺！ [打印本页]

作者: jameswangsynnex 时间: 2012-3-28 17:19 标题: 介绍Vishay 威世科技的先进工艺！

Vishay的TrenchFET Gen III p沟道MOSFET使用了先进的加工工艺，每平方英寸的硅片内有10亿个晶体管单元。这种最前沿的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，把目前业内最好的p沟道MOSFET所能达到的导通电阻降低了近一半。
http://weibo.com/vishaychina

作者: TLP291 时间: 2013-1-30 15:42

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