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标题: 飞兆半导体650V场截止IGBT 提高功率转换应用的效率 [打印本页]

作者: yueyue168 时间: 2012-4-12 00:14 标题: 飞兆半导体650V场截止IGBT 提高功率转换应用的效率

太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效，满足散热法规，同时减少元件数目的挑战。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品，帮助设计人员应对这一行业挑战。要了解更多的信息及索取样品，请访问公司网页：
http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html
飞兆半导体公司的场截止IGBT技术能够让设计人员开发出具有更高输入电压的高可靠系统设计，同时提供具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大电流处理能力、正温度系数、严格的参数分布，以及较宽的安全工作区等特点。
更高的击穿电压改善了寒冷环境温度下的可靠性，随着温度的降低，IGBT和FRD阻断电压亦会下降，因而650V IGBT特别适合较冷气候之下工作的太阳能光伏逆变器。仔细选择IGBT和续流二极管是获得最高效率的必要条件，650V IGBT提供了快速和软恢复特性，能够降低功率耗散，并减小开启和关断损耗。
特性和优势www.kshhfp.com www.kshzfp.com
• 具有更高的阻断电压能力，无需牺牲性能
• 具有正温度系数，易于并联工作，可实现不发热的嵌板应用，防止系统过载
• 大电流容量，实现大功率DC/AC转换
• 最高结温：TJ=175oC
• 低饱和压降：Ic=40A / 60A额定电流下，VCE(sat)= 1.9V(典型值)
• 高开关速度，可让系统保持高效率
• 低导通损耗和开关损耗
• 宽安全工作区 – 允许更高的功率耗散
• 严格的参数分布
• 满足RoHS要求

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