TOP 9 惠普揭露忆阻器运作机制
惠普(HP)资深院士,也是忆阻器的发明者 Stanley Williams 表示,一些对于 HP 忆阻器的开关速度能比 DRAM 快,且资料保存时间能比快闪记忆体更长数百万倍等特性抱持怀疑的工程师们,现在不必再担心了。
“我们发现电场和电流可共同运作,让记忆体元件能够同时非常迅速地开关并无限期地保持其状态,”Williams说。“不仅仅在元件内施加电压以驱动氧空缺(oxygen vacancies)的迁移,同时间内电流也会加热到300℃──这恰好足够让非晶薄膜转化为结晶薄膜。
忆阻器被视为未来的‘通用记忆体’,因为它们的运作速度能与DRAM一样快,尺寸和快闪记忆一样小,而耐用性则媲美唯读记忆体,据惠普表示。作为继电阻、电容和电感之后的第四种基础被动电路,忆阻器凭藉在氧化薄膜中导入或移除氧空缺的属性,能够仅保留高或低电阻状态。