标题: ST的90nm 512/256/128Mb NAND闪存系列 [打印本页]
作者: juliguo 时间: 2006-1-25 17:51 标题: ST的90nm 512/256/128Mb NAND闪存系列
ffice:smarttags" />1月19日讯,ST公司宣布它的小容量NAND闪存系列现在过度到90nm工艺技术.128Mb,256Mb和512Mb闪存器件的完整过度到这种先进的制造工艺,确定了这种一流的NAND技术,将会为诸如数码相机,PDA,GPS导航系统,低容量闪存卡,USB驱动,打印机,机顶盒,数字电视(DTV),汽车多媒体系统和多媒体手机等产品提供节省成本的存储解决方案.ffice
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