图1:Everspin MRAM封装的X光影像。
MTJ结构被整合到另一个典型CMOS积体电路的互连部份。在写入过程中,选定的MTJ会置于所选择的写入字线和选定的位元线之间。当电流经过所选的字线和位元写入线,便会在这些线的周围建立磁场。而在选定MTJ的上磁场向量总和必须足够切换状态。不过,沿着选定的字线或位元写入线产生的磁场也必须足够小,以确保不会切换到俗称的「半选」(half selected ) MTJ状态。所谓半选状态仅作用在所选择的字线与位元写入线周围。欢迎光临 电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/) | Powered by Discuz! 7.0.0 |