已知基本镜像恒流源电路如图1所示，试计算输出电流的大小和恒流源内阻。

图1

晶体管是基准管，且，工作在放大状态。

当与特性参数完全一致时，由可推得

        

        所以，

        当时，。

恒流输出管的交流通路如图1(b)所示，将晶体管用微变等效模型替代后的电路模型如图1(c)，显然，恒流源的内阻。

必须注意，应用管的恒流特性时，必须满足，保证始终工作在放大状态。

图2

图2(b)的管采用多集电极晶体管（图2(a)已将其分散画），以基准管的集电极面积为基准，可得到一组与集电极面积成正比的多个恒流源。

图2(c)中增加管可以进一步减少恒流输出与基准电流之间的近似程度，此时，

        所以，

        当时，基本镜像恒流值，增加管后，更接近。

2．高内阻（Wilson）恒流源

图3是Wilson恒流源电路，试计算恒流输出值。

图3

        管是基准管，，工作在放大状态。

        当、、均工作在放大状态时，各电流之间关系为：

        整理后可得：

按二极管形式连接的管是管发射极的等效电阻，Wilson恒流源的内阻要大于。

3．微恒流源（Widlar）电路

图4是Widlar微恒流源电路，试计算输出恒流值。

图4

晶体管是基准管，且，工作在放大状态，。

管发射极电流与发射极电压之间的关系为：

        所以，

                （1）

        同理，当工作在放大状态时，

                  （2）

        由基极回路方程得：

                （3）

        将式（1）和式（2）代入式（3），同时考虑，得：

                （4）

  例，当电源电压等于+15V，，若要产生的恒流源，试确定电阻R1的值。

        将参数代入式（4）可得。

若不采用微电源源电路，采用基本恒流源电路，虽然只需要一个电阻R，但此时电阻阻值要求为：

此阻值远大于微电源电路中电阻R与R1之和，意味着需要占用更多的芯片面积。