电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: 磁芯AT4HV技术资料的直流偏置与交流磁通密度 [打印本页]

作者: zddzic 时间: 2012-5-25 16:24 标题: 磁芯AT4HV技术资料的直流偏置与交流磁通密度

　　在直流偏置电流作用下,由于饱和作用，IC邮购网MPP磁芯的磁导率呈现减小趋势。图1显示了这种趋势，对高磁导率这种变化更加明显。为了利用该曲线进行设计，设计中的磁动势（磁化力）用式（9．2）进行计算。若磁导率的减小使电感量的下降不超过30％，则可以用增加线圈匝数的方法补偿偏置造成的影响。若磁导率的降低超过了30％，增加匝数会造成磁导率的进一步下降，且比N2快。因此要用更大的磁芯才能解决问题。 AT4HV技术资料

　　图1 磁导率和直流偏置的关系

　　磁芯磁导率也随交流磁通密度改变，如图2（a）所示。由式（9．6）可以计算磁通密度。随着交流磁通密度增加，磁导率在初始阶段升高，然后大约在20006后下降。采用较大的磁芯可减少磁通密度。频率对较高磁导率也有影响，如图2（b）所示。当磁通密度在2006以下时，磁芯损耗是一个常数。然而，当激励增加时，对Q值的影响可能有相反作用。

　　图2 磁导率与交流磁通密度、频率的关系

　　

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)