标题: 关于HC908的块保护寄存器的编程 [打印本页]
作者: plutus00 时间: 2006-3-12 18:07 标题: 关于HC908的块保护寄存器的编程
对于HC908的flash块保护寄存器，如何在程序下载的过程中，直接对齐进行编程。
如果使用CW直接生成S19文件进行编程的话，如果进行设置。
我在prm文件中，直接将块保护寄存器定义成一个字节的段，然后使用fill指令，进行填充，但是生长S19文件之后，不能生成相应的编程代码。如果把它定义成两个字节以上的段，是可以的。但是对HC908GZ32来说，定义两个字节以上的段，意味着其它的区域都是保留的。
如果在编程过程中，对保留区间进行编程，会有什么效果的那？
作者: strongchen 时间: 2006-3-13 11:43
可以不必定义成段。用“@”的格式定义一个确定地址的常量即可。
作者: plutus00 时间: 2006-3-14 08:49
块保护寄存器是不是可以通过内部的软件编程也可以对其进行编程，而不需要外部的IRQ加高压，但是擦除是需要加高压才可以将块保护寄存器擦除的？
作者: strongchen 时间: 2006-3-14 16:14
应该可以，但只是在块保护寄存器为$FF的情况下才行。一般我们推荐在对芯片编程时同时写入块保护寄存器的值，而不是由软件对其进行编程。因为块保护寄存器的本意就是防止软件出错时对FLASH的意外擦写操作。
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