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标题: TPC8017-H/8018-H:N沟功率MOSFET [打印本页]

作者: simppyx 时间: 2003-7-29 13:53 标题: TPC8017-H/8018-H:N沟功率MOSFET

7月9日讯，东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components）推出能改善功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A)，它采用超高速度U-MOS III和铝丝键合，以改善导通电阻和栅极电荷。采用超声键合方法来代替焊接，器件的RDS(on)降低了34%，QSW降低了14%。

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