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标题: 应用于EMI及ESD的新型片式元器件 [打印本页]

作者: 静电小强 时间: 2012-8-27 08:44 标题: 应用于EMI及ESD的新型片式元器件

　　例如，典型情况下，一个人所带电荷可以表征为一个150pF的电容器与330Ω的电阻器串联。推算其静电电压有可能在8～15kV范围内，甚至高达25kV。当人接近系统时，静电场（ESD）和不均匀电压分布会导致系统内元件被损坏。一般来说，ESD很容易损坏未受保护的IC。据统计，各类IC的ESD击穿电压分布如图1所示。

　　通过在对静电敏感IC的最易受损的管脚处（例如，在Vcc和I/O管脚等处）安装一个瞬态抑制器，即片式多层压敏电阻器就能起到保护IC的作用。

　　具有独石结构的多层压敏电阻器与MLCC结构类似，内电极与陶瓷薄层交错并联经端电极引出。除进一步实现瓷体薄层化降低击穿电压外，多层并联使电极有效面积成倍增加，从而极大地提高其通流量和静电容量值。并有效地缩小元件的体积与减轻重量。

　　片式元件的抗电磁干扰（EMI ）功能

　　通信与信息终端的便携化、数字化，使系统的EMI抑制问题愈发突出。采用片式多层磁珠(MLCB)可有效抑制计算机、汽车电子、传真机、数字式移动通信等领域的电磁或射频干扰(EMI/RFI)。并且具有小尺寸、高可靠磁屏蔽、适于高密度线路板装配的特点。例如：笔记本电脑中的主板、总线、时钟线、声卡、显卡、网卡及电源部分，都需要包括低速、高速、大电流型在内的多种规格片式磁珠。TDK、村田、太阳诱电公司已能生产0402型片式磁珠。此外，复合阵列型片式磁珠也可进一步缩小装配空间。0612型（即0604×3或0603×4个）片式多层磁珠阵列也已普及。太阳诱电公司新研制出0408（0402×4）规格的BK2010型片式多层磁珠阵列，各单元电极间距0.5mm，可就近贴装于间距相同的QFP封装IC引脚间，更有效地改善噪声抑制效果。

　　穿心式滤波器被证明是抑制EMI最有效的无源元件之一，通常采用C型、LC型、π型和T型四种结构。根据结构变化和各单元电容量、电感量的调整和匹配，改变截止频率，实现对指定频段电磁噪声的抑制。片式化的穿心滤波器直接在线路板上贴装接地时，也可同时贯通导电屏蔽板，从而极大地改善在高频段的滤波效果。文章来自www.esd.cn

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