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标题: 场效应管(mosfet)参数符号意义 [打印本页]

作者: m1_ljp 时间: 2012-9-11 16:36 标题: 场效应管(mosfet)参数符号意义

Cds---漏-源电容　　Cdu---漏-衬底电容
　　Cgd---栅-源电容
　　Cgs---漏-源电容
　　Ciss---栅短路共源输入电容
　　Coss---栅短路共源输出电容
　　Crss---栅短路共源反向传输电容
　　D---占空比(占空系数，外电路参数)
　　di/dt---电流上升率(外电路参数)
　　dv/dt---电压上升率(外电路参数)
　　ID---漏极电流(直流)
　　IDM---漏极脉冲电流
　　ID(on)---通态漏极电流
　　IDQ---静态漏极电流(射频功率管)
　　IDS---漏源电流
　　IDSM---最大漏源电流
　　IDSS---栅-源短路时，漏极电流
　　IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)
　　IG---栅极电流(直流)
　　IGF---正向栅电流
　　IGR---反向栅电流
　　IGDO---源极开路时，截止栅电流
　　IGSO---漏极开路时，截止栅电流
　　IGM---栅极脉冲电流
　　IGP---栅极峰值电流
　　IF---二极管正向电流
　　IGSS---漏极短路时截止栅电流
　　IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
　　Iu---衬底电流
　　Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
　　gfs---正向跨导
　　Gp---功率增益
　　Gps---共源极中和高频功率增益
　　GpG---共栅极中和高频功率增益
　　GPD---共漏极中和高频功率增益
　　ggd---栅漏电导
　　gds---漏源电导
　　K---失调电压温度系数
　　Ku---传输系数
　　L---负载电感(外电路参数)
　　LD---漏极电感
　　Ls---源极电感
　　rDS---漏源电阻
　　rDS(on)---漏源通态电阻
　　rDS(of)---漏源断态电阻
　　rGD---栅漏电阻
　　rGS---栅源电阻
　　Rg---栅极外接电阻(外电路参数)
　　RL---负载电阻(外电路参数)
　　R(th)jc---结壳热阻
　　R(th)ja---结环热阻
　　PD---漏极耗散功率
　　PDM---漏极最大允许耗散功率
　　PIN--输入功率
　　POUT---输出功率
　　PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)
　　to(on)---开通延迟时间
　　td(off)---关断延迟时间
　　ti---上升时间
　　ton---开通时间
　　toff---关断时间
　　tf---下降时间
　　trr---反向恢复时间
　　Tj---结温
　　Tjm---最大允许结温
　　Ta---环境温度
　　Tc---管壳温度
　　Tstg---贮成温度
　　VDS---漏源电压(直流)
　　VGS---栅源电压(直流)
　　VGSF--正向栅源电压(直流)
　　VGSR---反向栅源电压(直流)
　　VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)
　　VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)
　　Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)
　　VGS(th)---开启电压或阀电压
　　V(BR)DSS---漏源击穿电压
　　V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压
　　VDS(on)---漏源通态电压
　　VDS(sat)---漏源饱和电压
　　VGD---栅漏电压(直流)
　　Vsu---源衬底电压(直流)
　　VDu---漏衬底电压(直流)
　　VGu---栅衬底电压(直流)
　　Zo---驱动源内阻
　　η---漏极效率(射频功率管)
　　Vn---噪声电压
　　aID---漏极电流温度系数
　　ards---漏源电阻温度系数

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