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标题: CMOS集成电路中ESD的失效模式 [打印本页]

作者: 静电小强 时间: 2012-9-12 15:12 标题: CMOS集成电路中ESD的失效模式

　　因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，表征ESD现象通常有4种模型：人体模型HBM(Hu-man-body Model)、机器模型MM(Machine Model)和带电器件模型CDM(charged-Device Model)和电场感应模型FIM(Field-Induced Model)。HBM放电过程会在几百纳秒内产生数安培的瞬间放电电流；MM放电的过程更短，在几纳秒到几十纳秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。 CDM放电过程更短，对芯片的危害最严重，在几纳秒的时问内电流达到十几安培。

　　ESD引起的失效原因主要有2 种：热失效和电失效。局部电流集中而产生的大量的热，使器件局部金属互连线熔化或芯片出现热斑，从而引起二次击穿，称为热失效，加在栅氧化物上的电压形成的电场强度大于其介电强度，导致介质击穿或表面击穿，称为电失效。ESD引起的失效有3种失效模式，他们分别是：

　　硬失效：物质损伤或毁坏；

　　软失效：逻辑功能的临时改变；

　　潜在失效：时间依赖性失效。

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