标题:
20nm和3D IC将是积极的产业
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作者:
cogobuy123
时间:
2012-9-12 16:09
标题:
20nm和3D IC将是积极的产业
过去一年中,
Mentor
公司实现了
10
亿美元的营业额。并在
20nm
设计、
3DIC
、
DFM(
可制造设计
)
、
DFT(
可测试设计
)
、
SoC
验证方面都有很大进展。在北京的
Mentor Forum
期间,笔者就目前设计业的一些困惑,询问了
Mentor
的掌舵人。
问:随着工艺的演进,每家
foundry(
代工厂
)
能支持的设计公司越来越少。例如
65nm
时,一家代工厂大概可以同时支持
60
~
80
个设计。
40nm
时
40
~
50
个,
28nm
时
20
~
30
个,
20nm
时可能
12
~
16
个,因为太复杂,代工厂没有精力了。目前公开说在
20nm
要去建厂的厂商一共四家
:Intel
、
IBM
、三星、
TSMC
。那么,这对
IC
设计业会带来哪些影响
?
答:每一个新的工艺,都有一个慢慢被接受并提升的过程。到了
28/20nm
,
Foundry
在设备的投入确实相当的大。不过我们认为,随着这些资本投入逐渐变为产能后,我们相信会有更多的客户会乐意进入这些先进的工艺,因为成本更加的低廉。除了上述的几家,我们相信
UMC(
联电
)
及
SMIC(
中芯国际
)
都会很快进入
20nm
的行列。
另外,任何新的先进半导体制程都是由大批量设计驱动的,像
FPGA
、无线基带芯片和图形芯片等。由于工艺成熟,代工厂的资源可支持更多的客户,使更多的公司开始做先进技术节点的设计。
28
和
20nm
能够提供独特的差异化。由于代工厂的投资是前代的二三倍,因此接下来的两年会有丰富的晶圆片出现。这些大容量、低成本的晶圆片将鼓励更多企业设计芯片。此外,大批量将导致非常有吸引力的晶片成本,这将使
IC
设计公司有动力开发较低成本的
28nm
和
20nm
芯片。因此,
20nm
将是非常积极的产业。
问:
20nm
时代的经济性如何
?
有人分析过
[
注
1]
,从
0.13
微米往
90nm
走的时候,大概我们还从面积上获得
33.6%
的降低,从
90nm
到
65nm
,还有
20.6%
,
65
到
45
有
18%
,
45
到
32
有
10.1%
,
32
到
22nm
时候,只有
3.3%
了。估计从
22
纳米再往下走,成本下降的空间非常有限。摩尔定律还会继续走下去吗
?
答:摩尔定律是一种“学习曲线”:每
18
个月芯片成本减少约
50%
,芯片内晶体管的数量每
18
个月翻番。我们认为这种“学习曲线”应能继续。但
20nm
以后,晶体管的线性尺寸缩减或许将有减缓,不过却可以通过其他的方式维持这一学习曲线的速率。例如
FinFET
以及
3DIC
,就是透过三维立体的晶体管形式,或者多芯片堆叠的方法,来满足将来设计对复杂度以及成本的要求。这意味着,,降低每个晶体管的成本仍将遵循“学习曲线”趋势,正如它过去
50
年中的一样。
问:本土
IC
设计公司有能力做
20nm
、
3D
芯片的还较稀少,
Mentor
的
EDA
工具给中国本地带来的意义是什么
?
这次大会想给本地企业传递哪些新理念
?
答:
Mentor
是市场上为
3DIC
芯片设计提供关键软件的
EDA
公司。
Calibre
™提供
3DIC
所需要的完整验证方案。。此外,
Mentor
的
Tessent
™
DFT
工具能支持所有需测试的堆叠芯片
(die)
的需求,包括逻辑和存储。
Mentor
的封装设计软件帮助设计师开发
3DIC
设计的封装和
interposer
。可以说,
Mentor
是
3D
设计工具的领导者。
在
20nm
方面,
Mentor
是第一个向市场推出
20nm
物理验证工具,主要是
Calibre
系列。我们还把物理设计和验证技术集成起来,针对
20nm
所需要的新技术,如
double patterning(2
次曝光
)[
注
2]
,能够在布局
&
布线的阶段,就能够预防并解决
Double Patterning
可能出现的问题。此外,我们看到
20nm
技术有利于更复杂的逻辑设计,
Mentor
的硬件仿真器可以大幅度减少设计的验证时间,能帮助客户提早将产品推向市场。。可以说,
Mentor
在
20nm
领域已经提供了完整的方案,领先其他对手。
注
1
:这段有关工艺与面积的数字来源于《电子产品世界》
2012
年第
9
期
30
页。与
Mentor
公司所认知的数字不太一致。
注
2
:
doublepatterning(
两次曝光
)
:
20nm
后需要两次曝光或多次曝光。
28nm
到
20nm
时,设备不用做大的改变,但是设计手段要变。因为
20nm
后,设计间距太窄了,一次曝光会使光线无法穿过,或者穿过的光线大大失真。
doublepatterning
就像两个人坐在一起,为了加大间距,中间可隔开一个位置。因此,人们把一层金属拆成两个
mask(
掩膜
)
,这样间距加大,光的不良效应就降低。方法是第一次曝光奇数行,第二次偶数行。
由
科通芯城
(
www.cogobuy.com
)中国首个
ic
元器件
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