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标题: 安森美半导体推出优化的超小超薄小信号MOSFET [打印本页]

作者: porereading 时间: 2012-10-23 19:39 标题: 安森美半导体推出优化的超小超薄小信号MOSFET

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容，推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET，用于空间受限的便携消费电子产品，如平板电脑、智能手机、GPS系统、数字媒体播放器及便携式游戏机。
　　安森美半导体功率MOSFET产品分部副总裁Paul Leonard说：“由于便携电子产品的尺寸持续缩小，同时其板载特性持续增多，故无论是现在或未来将继续存在针对超小型、高性能元器件的持续需求，从而使特性丰富的随身携带型设备具有高能效及高功能性。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ恰好配合此需求，使设计工程师能够指定使用具有所需特性及功能同时还支持消费者如今期望的纤薄时尚型设计的器件。”
　　新的NTNS3193NZ 和NTNS3A91PZ被认为是业界最紧凑的小信号MOSFET，因为它们采用极小的0.62 mm x 0.62 mm x 0.4 mm XLLGA3封装。XLLGA3封装的总表面贴装面积仅为0.38 mm²，是用于日渐缩小的便携产品应用环境的极佳方案，轻易替代采用大得多封装的竞争产品，如SOT-883封装(表面贴装面积为0.6mm²)或SOT-723 (表面贴装面积为
　　1.44 mm²)。
　　NTNS3193NZ是一款20伏(V)、单N沟道、门极至源极电压(VGS)为±4.5 V时典型导通阻抗(RDS(on))为0.75 Ω的器件。这器件与NTNS3A91PZ相辅相成，后者是一款20 V、单P沟道器件，VGS为±4.5 V时典型导通阻抗为1.3 Ω。
　　这两款新MOSFET由于具有低导通阻抗、低阈值电压及1.5 V门极驱动能力，集成在便携电子产品中时大幅降低能耗，使它们非常适合于小信号负载开关、模拟开关及高速接口应用。两款器件都完全无铅、无卤素及符合RoHS指令。
　　价格
　　NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ 每批量8,000片的单价分别为0.33和0.35美元。
　　

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