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标题: RF Micro Devices加快RF功率管理方面的技术改进 [打印本页]

作者: wobushisunbin 时间: 2012-11-20 13:33 标题: RF Micro Devices加快RF功率管理方面的技术改进

日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布，其将继续努力，实现 RF 功率管理性能方面改进的新里程碑。RF Micro Devices 正在开发基于平均功率跟踪- (APT-) 和包膜跟踪- (ET-) 的解决方案，这些解决方案将利用 RFMD 在功率放大器、RF 功率管理和复合半导体方面的领导地位来实现有突破性的性能。

RFMD 是 RF 功率管理方面的领导者，目前已销售出数千万个电源管理集成电路 (PMIC)，其中大部分在 RFMD 的革命性 PowerSmart® 功率平台上的 RF Configurable Power Core™ 架构内。RFMD 也是 RF 功率控制方面的先驱，目前已销售出几亿个具有集成功率控制功能的功率放大器（RFMD 的 PowerStar® 功率放大器和发射模块）。RFMD 预计，包膜跟踪技术与 RFMD的超级砷化镓器件及技术的结合是一个颠覆性的整合，将大大提高 RF 性能的标准。

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