英飞凌在MTT国际微波研讨会上展示了下一代LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF（射频）晶体管。采用这种工艺制造的设备的工作频率，可以满足高速无线接入网络的要求，在功率密度方面，比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25%。此外，随LDMOS一起采用的新型塑料封装技术，可降低系统总体成本。fficeffice" />