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标题: Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2013-3-5 22:00 标题: Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真的温度曲线，功能强大的最新版本ThermaSim引入了很多关键特性，比如裸片温度对功率耗散的时间缩放功能，定义更多的真实条件以提高仿真精度和设计灵活性，减轻对用户使用经验的要求。

其他热仿真工具只能进行封装级的仿真，而ThermaSim使用有限元分析(FEA)技术来提高精度。这款免费在线工具在高电流、高温应用中特别有用，例如汽车、固网通信、桌面和笔记本电脑，以及工业系统。最新版本的仿真工具还非常适合裕量小的设计，以及会受UIS(未钳位的电感开关)和汽车抛负载等瞬态情况影响的应用。
ThermaSim可帮助设计者在产品原型前对Vishay Siliconix的功率MOSFET、IC和DrMOS产品进行详尽的热仿真，从而缩短上市时间。对于高可信设计，ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改进的功能，包括以下内容：
瞬态热仿真(仅对MOSFET)：
对仿真的功率耗散数据进行时间缩放(最大1000级)，提高设计可靠性。这种方法可以在仿真曲线的时间段上的多个位置进行缩放，对高功率脉冲(kW级)及持续时间短(≥1ns)的情况特别有用。此外，工具能够以最初MOSFET裸片面积的10%、15%或25%作为散热区，以便对低栅极驱动和漏源电压尖峰等情况进行更好的分析。
改善用户体验：
为节省时间和消除可能的数据录入错误，ThermaSim 3.0允许用户上传Excel®格式的功率曲线数据包，可根据需要的次数反复上传数据包，当需要的时候用户之间可交换仿真结果和整个设计的副本。另外，强大的工具用图形显示的方式在PCB上摆放元器件。
根据“真实条件”进行仿真：
用户甚至可以定义更多的条件，包括在顶层和底层PCB板上的铜扩散，焊锡厚度，焊点质量，气隙，胶/隔离层的厚度，以及在PCB上或PCB外的导线端接。
高效仿真：
异步重新加载和web接口(Ajax)，以及负载均衡和高网格解析度，能更快得到仿真结果。

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