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标题: FinFET潜力与风险并存知名厂商畅谈发展策略 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2013-4-2 21:19 标题: FinFET潜力与风险并存知名厂商畅谈发展策略

在新思科技（Synopsys）于美国硅谷举行年度使用者大会上，参与一场座谈会的产业专家表示，鳍式电晶体（FinFET）虽有发展潜力，但也有风险，而且该技术的最佳时机尚未达到。
　　来自晶圆代工业者Globalfoundries 的技术主管指出，该种3D电晶体架构将在14纳米制程节点带来性能的提升，功耗也会比目前28纳米制程降低60%；不过也有其他与会专家指出，该种电晶体架构因为电容增加，使得一些设计上的老问题更加严重，同时带来新挑战。
　　处理器设计业者Cavium Networks的IC工程副总裁Anil Jain表示，与目前的28纳米制程相较，FinFET每微米（micron）闸极电容（gate capacitance）增加了66%的电容，回到与过去130纳米节点平面电晶体架构的水准；他补充指出，电容会让高阶芯片的性能提升与动态功率微缩（dynamic power scaling）受限。
　　“我们拥有这些美丽的（3D）电晶体，但我们无法让它们跑太远，”Jain指出，“动态功率会失控。”此外，他也表示，“我们这些设计高性能元件的人，还没看到核心电压（core voltage）微缩方面有太多改善。”

　　Cavium 估计FinFET将使闸极电容提升40%

　　Jain呼吁EDA供应商提供在控制交换功率与隔离电磁缺陷（isolating electromagnetic faults）方面表现更好的设计工具，“FinFET并非容易转换的技术，直到成功的那天我们都得为此付出代价，所以拜托不要让我们倾家荡产。”
　　高通（Qualcomm）芯片设计部门工程副总裁Michael Campbell则表示，不同晶圆代工厂的FinFET架构，“很类似，但并非完全一样。你只能在特定的方向蚀刻，而且蚀刻工具是共用的──这些是它们有相似性的原因──但各家晶圆代工厂其实在空间壁（spatial walls）与扩散（diffusion）方面用的技巧不同。”
　　Campbell指出，从英特尔（Intell）的22纳米FinFET 图片可以看到不规则的锥状壁（tapered wall），那可能会冲击平面电晶体的缺陷模型，这需要新的测试技术以及非常密切的合作伙伴关系，才能完成适当的可测试设计。
　　而Campbell表示，在EDA领域，新思的Yield Explorer是很不错的工具，但仍是锁定平面电晶体架构──该公司需要推出针对3D电晶体架构的工具。他指出，无论是新思或其他EDA供应商的设计工具，都严重缺乏将简易的ATE图形压缩的方案，以供向后查找缺陷。
　　2014年底可望看到FinFET架构芯片？
　　如果以上的问题能获得解决，Jain与Campbell都预期会在2014年底看到一些首批14纳米FinFET芯片问世。
　　“我会说该制程技术已经接近准备就绪，但设计流程还在开发阶段。”Campbell表示，“目前我们已经打造出2，000万闸的（14纳米FinFET）测试芯片，但未来商用产品将会达到20亿闸。”他的说法为该技术的未来发展提供了一些评量参考。
　　新思IP核心业务总经理Joachim Kunkel则从另一种角度提供了FinFET技术迄今进展的概要，他的部门在2012年4月完成20纳米测试芯片投片，采用双重图形（double patterning），展现可运作的MIPI、PCI Express与USB等介面功能；接下来的14纳米芯片会是功能比较简单的元件，主要锁定记忆体功能，不过还未出厂。
　　“FinFET的设计参数跟平面电晶体大不相同。”Kunkel指出，“目前各家晶圆代工厂FinFET制程之间的差异性很明显，让我们每次（进行IP开发）时都得重头开始；而且大多数FinFET制程与设计工具仍在开发阶段，也让该工作加重。”
　　高通的Campell补充，FinFET会让你需要彻底重新评估元件架构──包括区分元件以及最佳化的方法──这是一大改变。无论如何，如 Globalfoundries设计解决方案副总裁Subramani Kengeri所言“整个产业界正在尝试达成第一代FinFET元件的及时量产（time to volume）。”
　　Kengeri 指出，为了赶上已经量产22纳米FinFET制程的英特尔，晶圆代工业者已经同意采取两个步骤：一是因应20纳米节点采用193纳米微影、双重图形技术的需求，二是在仍采用20纳米制作“后段（back end）”互连导线的制程节点，将14纳米FinFET加入“前段（front end）”制程运用的元件。
　　三星（Samsung）逻辑元件基础架构设计中心资深副总裁Kyu-Myung Choi重申，该公司已经承诺在2013年底将让“风险量产（risk production）”用的14纳米FinFET制程准备就绪；而Choi与Kengeri都表示，目前14纳米节点的良率以及性能表现都合乎预期。

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