电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻保持低栅极电荷 [打印本页]

作者: wxg1988 时间: 2013-4-26 11:00 标题: Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻保持低栅极电荷

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18m欧姆和23m欧姆，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
今天发布的器件适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器，以及通信砖式电源、太阳能微逆变器和无刷直流电机的升压转换器中的初级侧和次级侧的同步整流。在这些应用当中，SiR872ADP的导通电阻比前一代器件低45%，可降低传导损耗，提高系统的整体效率。

Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻
SiR872ADP在10V和7.5V下导通电阻与栅极电荷的乘积分别为563mΩ-nC和524mΩ-nC，该参数是DC/DC转换器应用中表征MOSFET的优值系数(FOM)。器件的FOM可减低传导和开关损耗，从而提高总的系统效率。这款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能减少总的元器件数量，并简化设计。

SiR872ADP进行了100%的Rg和UIS测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。这款器件属于近期发布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，让设计者可以从采用PowerPAK SO-8封装的多款中等电压器件中进行选择。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能够满足所有功率转换应用的需求。

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)