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标题: 摘抄的关于开漏级的原理及应用 [打印本页]

作者: domi    时间: 2006-8-28 17:33     标题: 摘抄的关于开漏级的原理及应用







开漏电路特点及应用


       在电路设计时我们常常遇到开漏(open drain)和开集(open collector)的概念。本人虽然在念书时就知道其基本的用法,而且在设计中并未遇的过问题。但是前两天有位同事向我问起了这个概念。我忽然觉得自己对其概念了解的并不系统。近日,忙里偷闲对其进行了下总结。
  所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示:    
   

作者: pingyong    时间: 2006-10-29 21:50

如果是p沟的mos管od,可就要下拉了啊!!!
作者: kuxi4969    时间: 2006-10-31 15:09

看不到1!!!!!!!!!!!!!!!!!
作者: liuliang654    时间: 2006-12-5 13:20

看不到啊!




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