标题:
GaN和SiC功率半导体市场未来十年将以18%的速度稳增
[打印本页]
作者:
小青子
时间:
2013-4-27 09:33
标题:
GaN和SiC功率半导体市场未来十年将以18%的速度稳增
在未来十年,受
电源
、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(
SiC
)和氮化镓(
GaN
)功率
半导体
市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称,至2022年
SiC
和
GaN
功率
半导体
的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测,未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率,见下表。
SiC
肖特基二极管
已存在十多年,
SiC
金氧半场效
晶体管
(
MOSFET
)、结晶性场效应
晶体管
(JFET)和双极型
晶体管
(BJT)在最近几年出现。
GaN
功率
半导体
则刚刚进入市场。
GaN
是一种拥有类似于
SiC
性能优势的宽带隙材料,但拥有更大的成本控制潜力。
据分析师预测,氮化镓上硅设备与硅
MOSFET
、IGBT或整流器将在2019年实现平价和同等性能,至2022年
GaN
功率市场销售额将超过10亿大关。
SiC
肖特基二极管
在2012年的销售额超过1亿美元,是目前最畅销的
SiC
或
GaN
设备。至2022年这一数字将增加近一倍。
到那时,
SiC
MOSFET
销售额预计将达到4亿美元,超越
肖特基二极管
成为最热卖的离散
电源
设备类型。虽然可靠性、价格及性能相近,
SiC
JFET和
SiC
BJT各自的销售额预计仅达到
SiC
MOSFET
的一半。
虽然IHS预测
SiC
和
GaN
市场未来几年增长强劲,但与一年前相比,这一预测已是大打折扣了。这一变化的主要原因在于,全球经济的低迷现状使市调机构调低了对功率组件设备的出货量预测。
SiC
采用率预测也被大幅调低,因为设备价格并未如此前预测那样快速下跌。
相比之下,业界对
GaN
技术的信心有所提高,越来越多公司已宣布进行
GaN
研发。例如Transphorm已成为首家获得氮化镓上硅设备JEDEC资格的公司。
欢迎光临 电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)
Powered by Discuz! 7.0.0