标题:
Globalfoundries称2015推出10纳米晶圆领先英特尔一年
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作者:
wxg1988
时间:
2013-4-28 22:05
标题:
Globalfoundries称2015推出10纳米晶圆领先英特尔一年
晶圆
代工厂
格罗方德
(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前至台,喊出两年内将拿下
晶圆
代工技术龙头,继
14纳米
XM明年量产,10纳米2015年推出,此进度比
台积电
领先两年,也比
英特尔
2016年投入研发还领先一年。
格罗方德
2009年由美商超微独立而出,2010年并购前特许半导体,苏比表示,2009年刚独立时,公司仅是全球第四大
晶圆
代工厂,但凭着超微在处理器技术的设计能力,加上先前新加坡特许半导体在
晶圆
代工服务客户经验,ICInsights统计,2012年公司跃进
晶圆
二哥,与
台积电
同列
晶圆
双雄。
公司企图不只于此,苏比看好行动装置电子产品内建芯片对
晶圆
先进制程的需求有高度成长,2011年到2016年,40纳米以下先进制程的
晶圆
复合成长率有37%,到2016年产值将占全球
晶圆
代工比重高达60%。
为了抢攻这波行动商机,
格罗方德
去年推出
14纳米
XM制程、2014年量产后,10纳米2015年量产,两种制程都导入鳍式晶体管(
Finfet
)。
格罗方德
的10纳米与
14纳米
XM都是所谓的混合制程,例如
14纳米
就是采用20纳米的设备与设计工具做出线宽
14纳米
的芯片,10纳米就是运用
14纳米
的设备与设计工具,制造线宽约当10纳米的芯片。
相较于
台积电
不做
14纳米
制程,而是推出16纳米
Finfet
,苏比说明,公司之所以作
14纳米
,因为
英特尔
不断进军行动市场,公司的客户感受到压力。
格罗方德
预计20纳米下半年推出,与
台积电
几乎同步,公司12寸产能有德国德勒斯登的
晶圆
一厂(Fab1)与纽约八厂(Fab8),各有4万片与6万片月产能,其中,Fab8将导入28纳米以下最先进制程。
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