电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: 关于三极管深度饱和恢复时间问题 [打印本页]

作者: baikeeditor 时间: 2013-5-10 15:50 标题: 关于三极管深度饱和恢复时间问题

在一些资料上提到三极管深度饱和的恢复时间比较长，会影响做开关管的频率性能。
但是好像达林顿管就没有这个问题。
为什么深度饱和的恢复时间较长呢，请大侠指教！

作者: cuicaifeng 时间: 2013-7-29 13:46

饱和导通到截止的恢复时间比较长，原因是三极管的基极-集电极之间的结电容影响。由饱和导通到截止，结电容有个放电的过程，放电的速度是受基极限流电阻和集电极负载电阻这两个电阻阻值的影响。深度饱和时集电极负载电阻一般很大，所以由饱和到截止的恢复时间要比由截止到饱和的打开时间长一些。

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)