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标题: 英飞凌推出采用突破性超结MOSFET技术的CoolMOS C7 [打印本页]

作者: wxg1988 时间: 2013-5-23 10:02 标题: 英飞凌推出采用突破性超结MOSFET技术的CoolMOS C7

英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适用于连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）、双管正激（TTF）和太阳能升压拓扑等硬开关拓扑，典型应用包括太阳能、服务器、电信设备和UPS（不间断电源）。650V击穿电压还使C7适用于需要额外安全裕度的应用。

“C7延续了高品质超结CoolMOS技术12年创新发展之路，进一步巩固了英飞凌在高端功率转换领域的领导地位。”英飞凌高压功率转换产品负责人Jan-Willem Reynaerts指出，“凭借CoolMOS C7一流的品质因数（RDS(on)*EOSS），我们的客户可以设计出前所未有的具有更高功率密度和效率的新一代功率转换系统。”

C7系列提供全球最低导通电阻，TO247封装可以到19m?，TO220和D2PAK可以到45m?。如今，C7的快速开关性能可使客户服务器PFC级首次实现100 kHz以上的开关频率，同时达到钛级能效。这可降低对无源组件的空间要求，从而提高功率密度。

此外，降低的输出电容（Eoss）以及低栅极电荷（Qg）还提高了轻载条件下的能效。将性能一流的C7与英飞凌全新的碳化硅（SiC）thinQ!第五代肖特基二极管系列和ICE2 / ICE3控制IC结合在一起，可设计出性能无与伦比的CCM PFC电路。

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