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标题: Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2013-7-3 22:13 标题: Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky) 二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。

全新30V及0.2A SDM0230CSP肖特基二极管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装，热阻仅为261oC/W，比DFN0603封装低约一半，有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。
SDM0230CSP的占位面积为0.18mm2，比采用了行业标准的DFN1006及SOD923封装的肖特基二极管节省电路板面积达70%，非常适合高密度的设计。此外，这个器件的离板厚度为0.3mm，相对于其他二极管薄25%，有利于超薄便携式产品设计。
这款肖特基二极管的最大正向电压十分低，于0.2A正向电流时仅为0.5V，加上在30V反向电压的情况下，漏电流一般低至1.5mA，能够把功耗减到最少，从而延长电池寿命。

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