标题: LED基础系列之：标准GaN外延生长流程 [打印本页]

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作者: reporter    时间: 2013-9-16 11:01     标题: LED基础系列之：标准GaN外延生长流程

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㈠     高温除杂
反应室炉温升高1200℃,通入氢气,高温、燃烧除去衬底上的杂质,时间10min。
 
㈡     : 长缓冲层
炉温降底控制在530℃时,在蓝宝石衬底上生长一层300A厚的GaN缓冲层，时间3min。
 
㈢      退火
炉温升至1150℃，时间7min，将低温长的非晶缓冲层通过高温形成多晶GaN   缓冲层。

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