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标题: 无源元件并非真的“无源”(第1部分)：电容 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2013-9-22 19:33 标题: 无源元件并非真的“无源”(第1部分)：电容

关键字：无源元件电容寄生参数
摘要：晶体管、集成电路等有源器件利用来自电源的能量对信号进行转换，而电阻、电容、电感以及连接器等无源元件则不消耗电能——或许是我们的假设。由于无源元件均具有寄生参数，它们实际上会以不可预知的方式改变信号。本文分为3部分，这里为第1部分，讨论寄生电容的影响。
引言

有源元件和无源元件——在工程设计领域真的是非白即黑吗？

晶体管和集成电路由于利用来自电源的能量改变信号，所以被认为是有源元件。基于这个依据，我们将电容、电阻、电感、连接器，甚至是印刷电路板(PCB)称为无源元件，因为它们看起来不耗电。然而，由于无源元件均具有寄生参数，它们实际上也会以不可预知的方式改变信号。所以，许多所谓的无源元件并非真的“无源”。本文分为3部分，这里为第1部分，专注于讨论电容的有源特性。

并非完全无源的电容

无源可定义为惰性和/或不活跃，但无源电子元件会以不可预知的方式成为有源电路的一部分。所以，纯容性电容实际上是不存在的。所有电容在本质上都存在一定的寄生成分(图1)。

图1：电容(C)及其最大的寄生元件。

我们进一步观察图1所示寄生元件。标有“C”的电容是我们的考察对象，其它所有元件则是不希望存在的寄生元件1。并联电阻RL引起泄漏，从而改变有源电路的偏置电压、滤波器的Q因子，并影响采样-保持电路的保持能力2。等效串联电阻(ESR)则会降低电容抑制纹波和通过高频信号的能力，因为等效串联电感(ESL)形成谐振电路(即自谐电路)。这意味着，在自谐频率以上时，电容呈现为电感，不再具备电源与地之间的高频噪声去耦作用。电容介质可能是压电介质，增加振动产生的噪声(AC)，就好像电容C内部嵌入了电池(未绘出)。冷焊应力造成的压电效应可以改变电容值。压电电解电容也具有等效的串联寄生二极管(未绘出)，这些二极管会对高频信号进行整流，改变偏置或增大信号失真。

较小的电池SB1至SB4表示塞贝克(Seebeck)结3，是由不同金属(寄生热电偶)在此形成的电压源。当我们连接测试设备时，需要考虑共用连接器的塞贝克效应。Jim Williams在参考文献4中指出，BNC和橡胶插头连接器对的热电势范围为0.07μV/℃至1.7μV/℃(附录J，图J5)。这一变化只适合我们日常在实验室内部的简单连接。将看起来较小的失调增益乘以1000，就达到1.7mV——这是我们尚未实际开始操作就存在的。

SB2和SB3可能是电容内部连接引线的箔，或连接至焊盘或表贴元件焊料的金属化物。SB1和SB4表示器件通过焊料到PCB铜线的结。以往的焊料是63%的铅和37%的锡，但现在使用的符合RoHS标准的无铅焊料成分变化很大，会影响电容附近的电压，所以必须查询合金成分。

我们可以对介质吸收(DA)或Bob Pease所称的“渗透”进行建模，等效为无数个RC时间常数：DA1至DAINFINITY，其中每个时间常数由电阻RDA和电容CDA组成。Bob Pease列举了一些“渗透”非常重要的实例，本文附录中介绍了一段关于吸收的有趣经历。

“如果您关闭彩色电视机，然后打开后盖，那么在您开始操作之前首先必须要做的是什么？在螺丝刀上连接一条地线，然后接触高压插头上的橡胶垫圈下方，对CRT放电。那好，现在电容已经放电了，如果让这一过程持续大约10分钟，那么有多少电压将“渗透”回显像管的“电容”？当您第二次放电时，足以造成可见的电弧……这就是我所说的介质吸收。”5

由此可见，电容会随着作用电压的改变而改变。然后再加上老化、温度的影响，以及其它可能造成电容器物理损坏的众多因素6，这种简单的无源元件就变得非常复杂。

现在，我们应该讨论一下与自激有关的因素，这是去耦电容以及接地不良的电容最常见的问题。如果接地不良，任何电容都不能正常工作。电容自激主要受图1所示ESL的影响，当然，PCB过孔也会产生一定的影响。工作在射频频段时，这些过孔将影响小电容的自激点。以图2为例，讨论了1μF电容的曲线。

图2：三个电容的自激频率(曲线的最低点)，图示表明，电容的性能并不完全一致。在左侧，当曲线(阻抗)向下移动时，电容表现为电容。当达到其最低点时，电容呈现为电感(ESL)，不再是有效的去耦电容。

1μF曲线在4.6MHz时达到最小，高于该频率时，ESL占支配地位，电容的工作特性表现为电感。由此，去耦电容在高频下称为一个双向导体：对于电源总线上的高频信号而言，电源线与地短接，反之亦然。电容模糊了电源和地之间的差异。

随着对信号频率和电容的深入考察，我们可能忘记了所产生的谐波或边带。例如，一个50MHz方波的SPI时钟，具有无限次的奇次谐波。大多数系统(并非所有系统)会忽略5次以上的谐波，因为这些谐波的能量已经非常低，在噪底以下。如果谐波在半导体器件中经过整流，仍可造成负面的影响，因为它们会转换成新的低频干扰。

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